JAJSFG9A May   2018  – June 2018 2N7001T

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      ブロック図とピン配置
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Operating Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Load Circuit and Voltage Waveforms
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Up-Translation or Down-Translation from 1.65 V to 3.60 V
      2. 8.3.2 Balanced CMOS Push-Pull Outputs
      3. 8.3.3 Standard CMOS Inputs
      4. 8.3.4 Negative Clamping Diodes
      5. 8.3.5 Partial Power Down (Ioff)
      6. 8.3.6 Over-voltage Tolerant Inputs
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Processor Error Up Translation
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curve
      2. 9.2.2 Discrete FET Translation Replacement
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 1.65V～3.6Vの昇圧および降圧変換
  • 動作温度範囲: -40℃～+125℃
  • 最大静止電流(ICCA + ICCB): 14µA (最大125℃)
  • 電源電圧の全範囲にわたって最高100Mbpsをサポート
  • VCC絶縁機能
    • いずれかのVCC入力が100mVより低下した場合、出力は高インピーダンスに変化
  • Ioffにより部分的パワーダウン・モードをサポート
  • JESD 78, Class II準拠で100mA超のラッチアップ性能
  • JESD 22を超えるESD保護
    • 2000V、人体モデル
    • 1000V、デバイス帯電モデル