JAJSEA6B December   2017  – February 2019 LMH5401-SP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      LMH5401-SPの小信号周波数応答
      2.      LMH5401-SPによるADC12D1620QMLの駆動
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics: VS = 5 V
    6. 7.6 Electrical Characteristics: VS = 3.3 V
    7. 7.7 Typical Characteristics: 5 V
    8. 7.8 Typical Characteristics: 3.3 V
  8. 8 Parameter Measurement Information
    1. 8.1  Output Reference Nodes and Gain Nomenclature
    2. 8.2  ATE Testing and DC Measurements
    3. 8.3  Frequency Response
    4. 8.4  S-Parameters
    5. 8.5  Frequency Response with Capacitive Load
    6. 8.6  Distortion
    7. 8.7  Noise Figure
    8. 8.8  Pulse Response, Slew Rate, and Overdrive Recovery
    9. 8.9  Power Down
    10. 8.10 VCM Frequency Response
    11. 8.11 Test Schematics
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Fully-Differential Amplifier
      2. 9.3.2 Operations for Single-Ended to Differential Signals
        1. 9.3.2.1 AC-Coupled Signal Path Considerations for Single-Ended Input to Differential Output Conversion
        2. 9.3.2.2 DC-Coupled Input Signal Path Considerations for SE-DE Conversions
        3. 9.3.2.3 Resistor Design Equations for Single-to-Differential Applications
        4. 9.3.2.4 Input Impedance Calculations
      3. 9.3.3 Differential-to-Differential Signals
        1. 9.3.3.1 AC-Coupled, Differential-Input to Differential-Output Design Issues
        2. 9.3.3.2 DC-Coupled, Differential-Input to Differential-Output Design Issues
      4. 9.3.4 Output Common-Mode Voltage
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 Operation With a Split Supply
      2. 9.4.2 Operation With a Single Supply
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
      1. 10.1.1 Stability, Noise Gain, and Signal Gain
      2. 10.1.2 Input and Output Headroom Considerations
      3. 10.1.3 Noise Analysis
      4. 10.1.4 Noise Figure
      5. 10.1.5 Thermal Considerations
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Driving Matched Loads
        2. 10.2.2.2 Driving Unmatched Loads For Lower Loss
        3. 10.2.2.3 Driving Capacitive Loads
        4. 10.2.2.4 Driving ADCs
          1. 10.2.2.4.1 SNR Considerations
          2. 10.2.2.4.2 SFDR Considerations
          3. 10.2.2.4.3 ADC Input Common-Mode Voltage Considerations—AC-Coupled Input
          4. 10.2.2.4.4 ADC Input Common-Mode Voltage Considerations—DC-Coupled Input
        5. 10.2.2.5 GSPS ADC Driver
        6. 10.2.2.6 Common-Mode Voltage Correction
        7. 10.2.2.7 Active Balun
      3. 10.2.3 Application Curves
    3. 10.3 Do's and Don'ts
      1. 10.3.1 Do:
      2. 10.3.2 Don't:
  11. 11Power Supply Recommendations
    1. 11.1 Supply Voltage
    2. 11.2 Single Supply
    3. 11.3 Split Supply
    4. 11.4 Supply Decoupling
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイス・サポート
      1. 13.1.1 デバイスの項目表記
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 13.4 コミュニティ・リソース
    5. 13.5 商標
    6. 13.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 13.7 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • QMLV (QML Class V) MIL-PRF-38535 認定済み、SMD 5962R1721401VXC
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • 単一イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性:
      LET = 85MeV-cm2/mg
    • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃) 全体で認定済み
  • ゲイン帯域幅積 (GBP): 6.5GHz
  • 優れた直線性:
    DC～2GHz
  • スルーレート: 17,500V/µs
  • 小さな HD2、HD3 歪み
    (500mVPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)
    • 100MHz: HD2で-91dBc、HD3で-95dBc
    • 200MHz: HD2で-86dBc、HD3で-85dBc
    • 500MHz: HD2で-80dBc、HD3で-80dBc
    • 1GHz: HD2で-53dBc、HD3で-70dBc
    • 2GHz: HD2で-68dBc、HD3で-56dBc
  • 小さな IMD2、IMD3 歪み
    (1VPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)
    • 500MHz: IMD2で-90dBc、IMD3で-79dBc
    • 1GHz: IMD2で-80dBc、IMD3で-61dBc
    • 2GHz: IMD2で-64dBc、IMD3で-42dBc
  • 高いOIP2、OIP3: Gp = 8dB(1)
    • 500MHz: OIP2で91dBm、OIP3で47.7dBm
    • 1GHz: OIP2で80dBm、OIP3で37.5dBm
  • 入力電圧ノイズ: 1.25nV/√Hz
  • 入力電流ノイズ: 3.5pA/√Hz
  • シングルとデュアルの電源による動作をサポート
  • 消費電流: 60mA
  • パワーダウン機能 (1)
    • 1. 電力ゲイン (Gp) = 8dB、電圧ゲイン (Gv) = 17dB、RLtotal = 200Ω。詳細については「出力基準ノードおよびゲインの項目表記」セクションを参照してください。