JAJSD76 May   2017 CSD22206W

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 CSD22206Wのパッケージ寸法
    2. 7.2 推奨されるランド・パターン

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 非常に低い抵抗
  • 1.5mm×1.5mmの小さな占有面積
  • 鉛不使用
  • ゲートESD保護
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • ゲート・ソース電圧クランプ

アプリケーション

  • 負荷スイッチ・アプリケーション
  • バッテリ管理
  • バッテリ保護

概要

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスはバッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。

上面図と回路の構成
CSD22206W Pin_Map_and_Circuit_Configuration_P3.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 -8 V
Qg ゲートの合計電荷(-4.5V) 11.2 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 1.8 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = -2.5V 6.8
VGS = -4.5V 4.7
VGS(th) スレッショルド電圧 -0.7 V

製品情報

デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD22206W 3000 7インチ・リール 1.50mm×1.50mm
ウェハーBGAパッケージ
テープ・アンド・リール
CSD22206WT 250

絶対最大定格

TA = 25°C 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 -8 V
VGS ゲート-ソース間電圧 -6 V
ID 連続ドレイン電流(1) -5 A
パルス・ドレイン電流(2) -108 A
PD 消費電力 1.7 W
TJ
Tstg
動作時の接合部、
保管温度
–55~150 °C
  1. 105℃でのデバイス動作時
  2. 標準RθJA = 75℃/W、FR4材質上に実装、最大Cu実装面積、パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

RDS(on)とVGSとの関係

CSD22206W D007_SLPS636.gif

ゲート電荷

CSD22206W D004_SLPS636_FP.gif