JAJS219F December   2004  – March 2017 TPA2012D2

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Dissipation Rating Table
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Fixed Gain Setting
      2. 9.3.2 Short-Circuit Protection
      3. 9.3.3 Operation With DACs and CODECs
      4. 9.3.4 Filter-Free Operation and Ferrite Bead Filters
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 Shutdown Mode
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Applications
      1. 10.2.1 TPA2012D2 With Differential Input Signal
        1. 10.2.1.1 Design Requirements
        2. 10.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 10.2.1.2.1 Surface Mount Capacitors
          2. 10.2.1.2.2 Decoupling Capacitor (CS)
          3. 10.2.1.2.3 Input Capacitors (CI)
        3. 10.2.1.3 Application Curves
      2. 10.2.2 TPA2012D2 With Single-Ended Input Signal
        1. 10.2.2.1 Design Requirements
        2. 10.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 10.2.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
    1. 11.1 Power Supply Decoupling Capacitor
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
      1. 12.1.1 Pad Side
      2. 12.1.2 Component Location
      3. 12.1.3 Trace Width
    2. 12.2 Layout Examples
    3. 12.3 Efficiency and Thermal Considerations
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 13.2 コミュニティ・リソース
    3. 13.3 商標
    4. 13.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 13.5 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

特長

  • パッケージ毎の出力電力
    • WQFN:
      • 2.1W/Ch: 4Ω、5V
      • 1.4W/Ch: 8Ω、5V
      • 720mW/Ch: 8Ω、3.6V
    • DSBGA:
      • 1.2W/Ch: 4Ω、5V
        (熱により制限あり)
      • 1.3W/Ch: 8Ω、5V
      • 720mW/Ch: 8Ω、3.6V
  • 必要な外部部品が2個のみ
  • 電源電圧範囲: 2.5V~5.5V
  • チャネル別のシャットダウン制御
  • 選択可能なゲイン: 6、12、18、24dB
  • シャットダウン・ピンの内部プルダウン抵抗
  • 高PSRR: 77dB (217Hz時)
  • 短いスタートアップ時間(3.5ms)
  • 低消費電流
  • 低シャットダウン電流
  • 短絡保護と熱保護
  • 省スペースのパッケージ
    • 2.01mm×2.01mm NanoFree™DSBGA (YZH)
    • 4mm×4mm Thin QFN (RTJ)、 PowerPAD™

アプリケーション

  • ワイヤレスまたは携帯電話ハンドセットおよびPDA
  • 携帯DVDプレーヤー
  • ノートPC
  • 携帯ラジオ
  • 携帯ゲーム機
  • 教育玩具
  • USBスピーカー

概要

TPA2012D2はステレオ、フィルタフリーのClass-Dオーディオ・アンプで、DSBGAまたはWQFNパッケージで供給されます。TPA2012D2の動作に必要な外付け部品は2個だけです。

TPA2012D2は、チャネル別に独立のシャットダウン制御が可能です。G0、G1ゲイン選択ピンの設定により、6、12、18、24dBのゲインを選択できます。さらに、高PSRRおよび差動アーキテクチャにより、ノイズ耐性とRF整流が強化されています。これらの特長に加え、起動時間が短く、小型パッケージのTPA2012D2 Class-Dアンプは、携帯電話とPDAのどちらにも理想的な選択肢です。

TPA2012D2は、8Ωの負荷で1.4W/Ch (5V)または
720mW/Ch (3.6V)を駆動できます。TPA2012D2は4Ω負荷も駆動可能です。DSBGAのTPA2012D2は熱的な制限があり、4Ωで2.1W/Chを実現できない可能性があります。
DSBGAでの最大出力電力は、基板の放熱能力によって決まります。DSBGAで、WQFNパッケージに関連して熱的に制限されている領域を図33に示します。TPA2012D2は、過熱保護と短絡保護の機能を備えています。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
TPA2012D2 DSBGA (16) 2.01mm×2.01mm
WQFN (20) 4.00mm×4.00mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

簡略化されたアプリケーション回路図

TPA2012D2 appl_cir_los438.gif

改訂履歴

Changes from E Revision (September 2016) to F Revision

  • 「製品情報」表内の本体サイズの値を変更: DSBGAは4.00 mm×4.00mmから2.01mm×2.01mmへ、WQFNは2.01mm×2.01mmから4.00mm×4.00mmへGo

Changes from D Revision (June 2008) to E Revision

  • Added 「ESD定格」表、「機能説明」セクション、「デバイスの機能モード」セクション、「アプリケーションと実装」セクション、「電源に関する推奨事項」セクション、「レイアウト」セクション、「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクション、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションGo
  • Deleted データシートの末尾にあるPOAを参照し、利用可能なオプションの表をGo
  • Deleted previous application schematics: Typical Application Circuit (previously Figure 33), TPA2012D2 Application Schematic With Differential Input and Input Capacitors (previously Figure 34), and TPA2012D2 Application Schematic With Single-Ended Input (previously Figure 35)Go