JAJSFI8A July   2018  – December 2018 INA253

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     代表的なアプリケーション
  4. 改訂履歴
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Integrated Shunt Resistor
      2. 8.3.2 Short-Circuit Duration
      3. 8.3.3 Temperature Stability
      4. 8.3.4 Enhanced PWM Rejection Operation
      5. 8.3.5 Input Signal Bandwidth
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Adjusting the Output Midpoint With the Reference Pins
      2. 8.4.2 Reference Pin Connections for Unidirectional Current Measurements
      3. 8.4.3 Ground Referenced Output
      4. 8.4.4 Reference Pin Connections for Bidirectional Current Measurements
        1. 8.4.4.1 Output Set to External Reference Voltage
      5. 8.4.5 Output Set to Mid-Supply Voltage
      6. 8.4.6 Output Set to Mid-External Reference
      7. 8.4.7 Output Set Using Resistor Divide
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Input Filtering
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 High-Side, High-Drive, Solenoid Current-Sense Application
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curve
      2. 9.2.2 Speaker Enhancements and Diagnostics Using Current Sense Amplifier
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.2.3 Application Curve
      3. 9.2.3 Current Sensing for Remote I/Os in PLC
        1. 9.2.3.1 Design Requirements
        2. 9.2.3.2 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイス・サポート
      1. 12.1.1 開発サポート
    2. 12.2 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 コミュニティ・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

特長

  • 高精度のシャント抵抗を内蔵
    • シャント抵抗: 2mΩ
    • シャント・インダクタンス: 3nH
    • シャント抵抗の公差: 0.1% (最大値)
    • -40°C~+85°Cで±15Aの連続電流
    • 0°C~125°Cの温度ドリフト係数: 10ppm/°C
  • 高帯域幅: 350kHz
  • 強化されたPWM除去
  • 非常に優れたCMRR
    • 120dBを超えるDC CMRR
    • 50kHzにおいて90dBのAC CMRR
  • 精度
    • ゲイン
      • ゲイン誤差:0.4%(最大値)
      • ゲイン・ドリフト係数: 45ppm/℃ (最大値)
    • オフセット
      • オフセット電流:±15mA(最大値)
      • オフセット・ドリフト係数:125µA/°C(最大値)
  • 広い同相電圧範囲: -4V~+80V
  • 利用可能なゲイン: 100mV/A、200mV/A、
    400mV/A
  • 静止電流:2.4mA(最大値)