JAJSHW5D
September 2009 – September 2019
TS3USB221E
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
ブロック図
概略回路図、各 FET スイッチ (SW)
4
改訂履歴
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 3.3 V ±10%
6.7
Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 2.5 V ±10%
6.8
Switching Characteristics, VCC = 3.3 V ±10%
6.9
Switching Characteristics, VCC = 2.5 V ±10%
6.10
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Low Power Mode
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.3
Application Curves
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
12
デバイスおよびドキュメントのサポート
12.1
ドキュメントのサポート
12.1.1
関連資料
12.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
12.3
サポート・リソース
12.4
商標
12.5
静電気放電に関する注意事項
12.6
Glossary
13
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
RSE|10
MPQF186D
DRC|10
MPDS117L
サーマルパッド・メカニカル・データ
DRC|10
QFND013N
発注情報
jajshw5d_oa
jajshw5d_pm
1
特長
2.3V~3.6V の V
CC
で動作
スイッチ I/O は最大 5.5V の信号に対応
1.8V 互換の制御ピン入力
OE
がディセーブルのとき低消費電力モード (1μA)
r
ON
= 6Ω (最大値)
Δr
ON
= 0.2Ω (標準値)
C
io(ON)
= 7pF (最大値)
低消費電力:30µA (最大値)
JESD 22 準拠で ESD 性能をテスト済み
人体モデルで 7000V (A114-B、Class II)
荷電デバイス・モデルで 1000V (C101)
I/O ポートから GND への ESD 性能
人体モデルで 12kV (A114-B、Class II)
接触放電で ±7kV (IEC 61000-4-2)
高帯域幅:1GHz (標準値)