JAJSGN8 December   2018 AFE5832LP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     Device Images
      1.      ブロック概略図
  4. 4改訂履歴
  5. 5概要(続き)
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントのサポート
      1. 6.1.1 関連資料
    2. 6.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 6.3 コミュニティ・リソース
    4. 6.4 商標
    5. 6.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 6.6 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 超音波アプリケーション用の32チャネルAFE
    • LNA、アッテネータ、LPF、ADC、CWミキサー
    • デジタル時間ゲイン補償(DTGC)
    • 合計ゲイン範囲: 0dB～48dB
  • ゲインをプログラム可能な低ノイズ・アンプ(LNA)
    • 小さな電流ノイズ: 1pA/rtHz
    • ゲイン: 21dB、18dB、15dB
    • リニア入力範囲：最大700mVPP
  • プログラム可能なアッテネータ(ATTEN)
    • 減衰範囲（0.125dB刻み）: 0～36dB
    • デジタルTGCエンジン
  • プログラム可能なゲイン・アンプ(PGA)
    • ゲイン: 21dB、24dB、27dB
  • 3次、リニア位相のローパス・フィルタ(LPF)
    • カットオフ周波数は10MHz～25MHz
  • 16のADCにより、12ビット、80MSPSまたは10ビット、100MSPSの変換:
    • 各ADCは2セットの入力を半分のレートで変換
    • 12ビット・モード: 72dBFS SNR
    • 10ビット・モード: 61dBFS SNR
  • TGCモード電力
    • 低消費電力モード、4nV/rtHz、10ビット、20MSPS、LVSD（2xレート）で18.5mW/Chの最小消費電力
    • 低ノイズモード、12ビット、40MSPS、3nV/rtHzで27.8mW/Ch
    • 低電力モード、12ビット、40MSPS、4nV/rtHzで24.4mW/Ch
  • 非常に優れたデバイス間のゲイン一致
    • ±0.5dB (標準値)
  • 高調波歪：-55dBcレベル
  • 高速で一貫した過負荷からの回復
  • 連続波形(CW)パス
    • 5MHzのキャリアから1kHzの周波数オフセットで、-148dBc/Hzの低いクローズ・イン位相ノイズ
    • 無信号時の消費電力: 10mW/Ch
    • 位相分解能: λ/16
    • 3次および5次高調波の12dB抑制
  • 最高速度1GbpsのLVDSインターフェイス
  • 小型のパッケージ: 15mm×15mm NFBGA-289