JAJSFA6E July   2013  – April 2018 CSD17483F4

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 機械的寸法
    2. 7.2 推奨される最小PCBレイアウト
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

Electrical Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise stated)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS Drain-to-source voltage VGS = 0 V, IDS = 250 μA 30 V
IDSS Drain-to-source leakage current VGS = 0 V, VDS = 24 V 100 nA
IGSS Gate-to-source leakage current VDS = 0 V, VGS = 10 V 50 nA
VGS(th) Gate-to-source threshold voltage VDS = VGS, IDS = 250 μA 0.65 0.85 1.10 V
RDS(on) Drain-to-source on-resistance VGS = 1.8 V, IDS =0.5 A 370 550 mΩ
VGS = 2.5 V, IDS =0.5 A 240 310
VGS = 4.5 V, IDS = 0.5 A 200 260
VGS = 8 V, IDS = 0.5 A 185 240
gfs Transconductance VDS = 15 V, IDS = 0.5 A 2.4 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss Input capacitance VGS = 0 V, VDS = 15 V,
ƒ = 1 MHz
145 190 pF
Coss Output capacitance 42 55 pF
Crss Reverse transfer capacitance 2 3 pF
RG Series gate resistance 23
Qg Gate charge total (4.5 V) VDS = 15 V, IDS = 0.5 A 1010 1300 pC
Qgd Gate charge gate-to-drain 130 pC
Qgs Gate charge gate-to-source 220 pC
Qg(th) Gate charge at Vth 145 pC
Qoss Output charge VDS = 15 V, VGS = 0 V 1095 pC
td(on) Turnon delay time VDS = 15 V, VGS = 4.5 V,
IDS = 0.5 A,RG = 2 Ω
3.3 ns
tr Rise time 1.3 ns
td(off) Turnoff delay time 10.6 ns
tf Fall time 3.4 ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD Diode forward voltage ISD = 0.5 A, VGS = 0 V 0.73 0.9 V
Qrr Reverse recovery charge VDS= 15 V, IF = 0.5 A, di/dt = 300 A/μs 1475 pC
trr Reverse recovery time 5.5 ns