JAJSDA3 June 2017 LM5122-Q1
PRODUCTION DATA.
LM5122には強力なNチャネルMOSFETゲート・ドライバと、関連付けされたハイサイドのレベル・シフタが内蔵されており、外部のNチャネルMOSFETスイッチを駆動します。ハイサイド・ゲート・ドライバは、外付けのブート・ダイオードDBSTおよびブートストラップ・コンデンサCBSTとの組み合わせで動作します。ローサイドNチャネルMOSFETドライバのオン時間の間、SWピンの電圧は約0Vで、CBSTはDBST経由でVCCから充電されます。TIでは、0.1μF以上の容量のセラミック・コンデンサを、短い配線でBSTピンとSWピンとの間に接続することをお勧めします。
LOおよびHO出力はアダプティブ・デッド・タイム手法により制御されるため、両方の出力が同時に有効になることは絶対にないことが保証されます。コントローラからLOを有効するよう指示されると、アダプティブ・デッド・タイムのロジックにより、先にHOが無効になり、HO-SW電圧の低下を待ちます。その後、短い遅延（HO立ち下がりからLO立ち上がりまでの遅延）の後でLOが有効になります。同様に、HOのターンオンはLO電圧が放電されるまで遅延されます。続いて、短い遅延（LO立ち下がりからHO立ち上がりまでの遅延）の後でHOが有効になります。この方式により、どのようなサイズのNチャネルMOSFETデバイスでも、特にVCCがより高い電圧の外部ソースから給電される場合に、十分なデッド・タイムが保証されます。直列ゲート抵抗は実効デッド・タイムを減らす可能性があるため、追加するときには注意してください。
NチャネルMOSFETデバイスのスレッショルド電圧の選択には注意が必要です。特に、VIN電圧定格がVCCのレギュレーション・レベルより低い場合、またはバイパス動作が必要な場合は、注意してください。バイパス動作が必要な場合、特に出力電圧が12Vより低いときは、ハイサイドNチャネルMOSFETにロジック・レベル・デバイスを選択します。低い入力電圧でのスタートアップ時に、ローサイドNチャネルMOSFETスイッチのゲート・プラトー電圧は、NチャネルMOSFETデバイスを完全にエンハンスするのに十分である必要があります。ローサイドNチャネルMOSFETの駆動電圧が、スタートアップ時にローサイドNチャネルMOSFETデバイスのゲート・プラトー電圧よりも低い場合、レギュレータが正しくスタートアップせず、最大デューティ・サイクルで高い消費電力の状態のままになる可能性があります。この状況を回避するには、スレッショルドの低いNチャネルMOSFETスイッチを選択するか、UVLOピンの電圧プログラムによりVIN (STARTUP)を増やします。