PowerStack™ パッケージ・テクノロジー

テキサス・インスツルメンツの PowerStack パッケージ・テクノロジーは独自のアプローチを採用し、電源設計において基板面積の縮小を実現します。

Powerstacking header

PowerStack テクノロジーの概要

TI の PowerStack テクノロジーは、コンピュータや通信などの多くのアプリケーションの電源設計者が直面している課題を解決するために開発されたもので、高性能化と消費電力削減を、より小さな基板面積で実現することができます。最新の TI パワー・マネージメント製品のいくつかで使用されている PowerStack アプローチは、銅製クリップのボンディングと MOSFET の積層手法を使用して、ボード面積を半分に減らし、消費電力を最大 20% 削減し、性能を強化します。

 

PowerStack テクノロジーの動作方法

PowerStack テクノロジーの利点は、グランドに接続されたリード・フレームに TI の NexFET™ パワー MOSFET を複数積層し、銅製クリップを使用してそれらを接続することで達成されます。積層とクリップ・ボンディングというこの独自の組み合わせにより、複数の MOSFET を隣接させて配置する他の従来型のソリューションに比べて、小型で、放熱特性、スイッチング速度、および大電流駆動能力に優れた、より統合されたクワッド・フラット・ノーリード(QFN)ソリューションを実現できます。

powerstack diagram

PowerStack を使用している製品

PowerStack パッケージは、現時点で 3,000 万個以上の製品が出荷済みであり、次のものを含む TI の多数のパワー・マネージメント・デバイスで使用されています。

 

TI 製品番号 概要 パッケージ・サイズ
CSD86330Q3D 同期整流・降圧、NexFET™ パワー・ブロック MOSFET ペア 3.3 x 3.3mm QFN
CSD86350Q5D 同期整流・降圧、NexFET™ パワー・ブロック MOSFET ペア 5x6mm QFN
CSD96370 高周波数、同期整流・降圧、NexFET™ パワーステージ 5x6mm QFN
TPS56221 4.5V ~ 14V 入力、25A、高電流、同期整流・降圧コンバータ 5x6mm QFN