鉛フリーに関する取り組み

鉛フリー(Pb-Free)に関する取り組み

テキサス・インスツルメンツは半導体製品のパッケージの小型化、グリーンマテリアルの採用、生産活動における資源の最大限の再利用と環境負荷の削減活動など、地球環境保全に関する取り組みを積極的に進めております。

その中でも半導体業界および電子機器業界においてますます高まっている電子部品/システムの鉛フリー化に関しても、日本テキサス・インスツルメンツでは「グリーン・パッケージ・ソリューション」の一環として取り組んでおります。

TI では鉛フリー製品を「RoHS指令に準拠し、製品に含有される鉛は製品を構成する各パーツの重さの 0.1 %を超えず、半田付けに際してはある定められた無鉛半田付けの条件で使用される製品」と規定しています。

RoHS : Restriction of the Use of Certain Hazardous Substancesin Electrical and Electronic Equipment

EU(欧州連合)からの RoHS 指令では 2006 年 7 月 1 日以降、電気電子機器への Pb(鉛)、Cd(カドミウム)、Hg(水銀)、Cr6+(6価クロム)、PBB(ポリ臭素化ビフェニル)、PBDE(ポリ臭素化ジフェニルエーテル)の 6 物質の使用を禁止しています。

テキサス・インスツルメンツのポジション・ステートメント

TIのポジション・ステートメント テキサス・インスツルメンツの鉛フリーとRoHS適合に向けた積極的な取り組みをご説明します。

鉛フリー(Pb-Free)・パッケージ

  • 鉛フリー(Pb-Free)・パッケージ
  • 耐熱・パッケージ
  • 臭素(Br)/アンチモン(Sb) フリー ・パッケージ

テキサス・インスツルメンツでの鉛フリー(Pb-Free)に関する取り組み

リードフレームタイプのパッケージ:

  • 1989 年より IC パッケージのめっき素材を SnPb から NiPd に変更を実施。
  • 既に 450 億個以上の NiPd (ニッケル・パラジューム)めっき品を出荷。
  • 2000 年以降、めっき素材を NiPd から NiPdAu に置き換えを実施。
  • ハンダの濡れ性を向上させるため NiPdAu めっき品を採用。
  • NiPd および NiPdAu めっき品は従来の SnPb ペースト(220 ℃)ならびに鉛フリーペースト(240 - 260℃)で実装可能。
参考資料
図:参考資料

エリア・アレイ・パッケージ :

  • 鉛フリーボール(SnAgCu)を採用した MicroStar™ BGA (0.8 mm ボールピッチ)パッケージに関しては 2000 年に製品化。
  • MicroStar™ BGA/MicroStar™Jr.パッケージに関しては 2002 年の第 2 四半期に製品化。
  • 上記以外のアレイパッケージに関しては、現在開発中。
  • 鉛フリーのエリア・アレイ・パッケージに対しては SnAgCu ボールを採用。

テキサス・インスツルメンツでの鉛フリー・ソリューションに関してはこちら(英語)をご覧ください。

鉛フリー・パッケージ一覧 テキサス・インスツルメンツの鉛フリー・パッケージのラインナップとその仕様をご覧いただけます。


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