電源 IC

ゲートドライバ – 主な製品

耐久性の高いドライバ。強力なシステム。

耐久性と堅牢性の高い TI のゲート・ドライバは、過酷な温度環境下、負の電圧過渡が発生する条件下、高い絶縁耐圧環境下でも、安心してシステムを動作させることができます。

  • 広い温度範囲にわたって均一の性能を提供: TI のゲート・ドライバの多くは、室温だけではなく、広い温度範囲にわたって動作が保証されています。これにより不確定性を排除し、実際の環境で信頼性の高い性能を実現します。
  • 入力と出力の負電圧に対する耐性: スイッチング過渡、リーケージ、不適切なレイアウトによる寄生インダクタンスなどの問題から負電圧が発生します。そのため、ゲート・ドライバの負電圧への耐性は、堅牢で信頼性のあるソリューションを実現するために非常に重要です。
  • 高い絶縁耐圧を必要とする環境: システムの大電力化が進む中で、絶縁が不可欠なシステムが増加しています。TI の絶縁型ゲート・ドライバは長期的な信頼性を持つシステムの構築を可能にします。
gate-driver

UCC27201A

3A、120V ハイサイド/ローサイド・ドライバ

UCC27524A

5A、高速ローサイド・デュアル・ドライバ

UCC21520

4A/6A、5.7kVrms の絶縁型デュアル・チャネル・ドライバ

高効率ゲート・ドライバ

TI の超高速ゲート・ドライバ製品ラインアップは、大駆動電流、高速伝搬遅延、高 VDD を実現し、AC/DC 電源、DC/DC コンバータ、インバータなどさまざまなアプリケーションの効率を向上します。

  • 大電流ドライバ: 大電流ゲート・ドライバは、スイッチング損失の最小化を可能にします。一部のアプリケーションでは、遅延時間が短く特性がマッチングしている複数のゲート・ドライバを活用すると、2 つの出力チャネルを相互接続し、電流ドライブを 2 倍にすることができます。
  • 高速ドライバ: 高速伝搬遅延により、MOSFET/IGBT の導通時間を最小化できます。これにより、ボディ・ダイオードのオン時間も最小化でき、電力損失を最小限に抑えることができます。また、ボディ・ダイオードの消費電力も低減します。
  • 高 VDD を活用した設計: より高い VDD での動作は、消費電力の低減と、システムの効率向上を可能にします。最大 35V の広い VDD 動作範囲を持つゲート・ドライバにより、多くの種類のパワー・スイッチの採用が可能になります。
効率
デバイス
概要
電流
データシート
サンプルのご注文
大電流ドライバ
UCC27714 4A、600V ハイサイド / ローサイド・ドライバ 4A シンク / 4A ソース
yes
yes
UCC27524A 5A、高速ローサイド・デュアル・ドライバ 5A シンク / 5A ソース
yes
yes
UCC27211A 4A、120V ブートのハイサイド / ローサイド・ドライバ 4A シンク / 4A ソース
yes
yes
デバイス
概要
電流
データシート
サンプルのご注文
高速ドライバ
UCC27611
4A / 6A の高速シングル・ドライバ
14ns
yes
yes
UCC27517A
4A/4A のシングル・チャネル高速ローサイド・ドライバ
13ns
yes
yes
デバイス
概要
電流
データシート
サンプルのご注文
高 VDD 対応のドライバ
UCC27531
2.5A / 5A、最大 35V の VDD に対応するシングル・ドライバ
35V
yes
yes
UCC21520
4A/6A、5.7kVrms の絶縁型デュアル・チャネル・ドライバ
20V
yes
yes