電源 IC

GaN FET ゲート・ドライバ

各種電源トポロジで高い電力密度と設計の簡素化を実現する高速 GaN ゲート・ドライバ

TI のドライバは、高速タイミング仕様、リードレス・パッケージ、狭いパルス幅への応答という特性を組み合わせ、 FET の高速スイッチングを実現できます。ゲート電圧のレギュレーション、プログラム可能なデッドタイム、内部消費電力の低減などの機能を追加した結果、高周波スイッチングを通じて可能な範囲で最大の効率を実現できます。 

 

主なローサイド GaN FET ドライバ 

LMG1020

60MHz、1ns の速度を実現する 5V、7A ローサイド GaN ドライバは、パルス幅の短いアプリケーション向けに構築されています。

UCC27611

5V、4A/6A、ローサイド GaN ドライバ。パルス幅の短いアプリケーションの製作を今すぐ開始できます。

主なハーフ・ブリッジ GaN FET ドライバ 

LMG1205

エンハンスメント・モード GaN FET 向けの 100V、1.2A、5A、ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバは、電力密度の最大化に貢献します。

LMG1210

200V、1.5A、3A のハーフ・ブリッジ GaN ドライバは、デッドタイムが調整可能であり、電力密度を保証する目的で構築済みです。

LM5113-Q1

エンハンスメント・モード GaN FET 向けの車載、100V、1.2A / 5A のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバは、電力密度を意識して製作済みです

主なリファレンス・デザインと評価基板

LiDAR 用ナノ秒レーザー・ドライバのリファレンス・デザイン

高分解能 LiDAR アプリケーション用の 1ns GaN レーザー駆動段。

LMG1205 GaN 出力段の評価基板

外部 PWM 信号付きの小型で使いやすい出力段。さまざまな DC/DC コンバータ・トポロジの評価を可能にします。

注目のビデオ

主な資料

GaN と SiC を採用すると、電源の効率向上を実現できます

バンドギャップが広い材質を TI の高電圧製品ラインアップと組み合わせた場合に電源で実現できる利点について、概要をご確認ください。

車載 LIDAR を紹介します

一度に 1 つのパルスを放射する方法で自動車の安全性を強化することを意図した LiDAR テクノロジーについて説明します。

数 MHz GaN ドライバ設計の最適化

GaN の潜在能力を最大限に引き出すうえでゲート・ドライバの選定が重要な理由をご確認ください。

技術資料

TI の E2E™ コミュニティでは、エンジニア間の質疑応答、知識の共有、アイデアの提供、問題の解決をサポートしています。ぜひご活用ください。