電源 IC

SiC(シリコン・カーバイド)のパワーを活用しましょう  

次期設計では、ぜひエネルギー効率が高く、堅牢でコンパクトなシステムの実現に最適な SiC(シリコン・カーバイド)または IGBT ゲート・ドライバを選択してください

高効率

SiC / IGBT ゲート・ドライバの高い駆動電流、高い CMTI、短い伝搬遅延により、設計効率を高めることができます。

高度な保護機能

高速な短絡保護機能を内蔵し、高いサージ耐性を備える TI のゲート・ドライバにより、堅牢な絶縁型システムを実現できます。

コンパクトなソリューション

高速かつ堅牢で信頼性の高いドライバを使用して、より高い PWM 周波数で SiC をスイッチングすることで、システム・サイズ、重量、コストを低減できます。

主な SiC / IGBT ゲート・ドライバ製品

UCC21710-Q1

UCC21710-Q1 は、高 CMTI と高度な保護機能を搭載する、SiC / IGBT に対応したシングル・チャネルの絶縁ゲート・ドライバです。

UCC21750

UCC21750 は、脱飽和を使用した高 CMTI と高度な保護機能を搭載する、SiC / IGBT に対応したシングル・チャネルの絶縁ゲート・ドライバです。

UCC21530-Q1

イネーブル機能搭載、車載、4A、6A、5.7kVRMS 絶縁型デュアルチャネル・ゲート・ドライバ

主な評価モジュールとリファレンス・デザイン

高いシステム効率

ISO5852S により、>99% の効率性、10kW グリッド接続の 50kHz のソーラー・インバータ・スイッチングを実現します。

堅牢性

ISO5852S による >100A SiC パワー・モジュールの駆動、センシング、保護。

コンパクトなソリューション

UCC21530 は、100kHz の EV オンボード・チャージャ・スイッチングに対して 98.5% の効率、6.6kW のトーテム・ポール PFC を実現します。

主な SiC ゲート・ドライバに関する技術資料

IGBT および SiC ゲート・ドライバの基礎

IGBT および SiC ゲート・ドライバに関する最も一般的な質問のいくつかのソリューションをご確認ください。この e-book(PDF)は各トピックを詳細に説明していますが、右側を参照し、実際の設計に最も関連性の高いトピックに進むこともできます。

Silicon carbide gate drivers – a disruptive technology in power electronics(英語)

SiC(シリコン・カーバイド)は、適切なエコシステム、この場合はゲート・ドライバがなければ、その潜在能力を最大限に発揮することができません。この革新的技術とパワー・エレクトロニクスへの影響をお読みください。

Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs(英語)

SiC MOSFET のさまざまな出力短絡保護方法の概要と比較をご覧ください。

Enabling high voltage signal isolation quality and reliability(英語)

堅牢で信頼性の高いソリューションを提供する、業界トップクラスのテクノロジーの容量性絶縁について、詳細をご確認ください。

注目のビデオ

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技術記事

SiC (シリコン・カーバイド)に関する技術資料