P チャネル MOSFET

業界で最高の電力密度、最小のフットプリント、小さいゲート電荷の組み合わせで、駆動が容易

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高効率かつ低消費電力の部品を使用した設計は、多様な電子機器のバッテリ動作時間延長に役立ちます。TI の各種 P チャネル MOSFET には小型フォーム・ファクタで高い電力密度という特長があり、クラス最高の電圧制御機能と電流制御機能を通じてバッテリ動作時間を延長できるうえ、最小のフットプリントでこれらをすべて実現します。 

カテゴリ別の参照

種類別に選択

最大 BVDSS (ブレークダウン電圧) が 20V 以下

低電圧 P チャネル MOSFET を採用して設計を行い、ブレークダウン電圧が 20V 以下のデバイスを選択することができます。

FemtoFET™ MOSFET

FemtoFET™ P チャネル MOSFET を使用する設計は、モバイル・ハンドセットやタブレットのほか、基板面積の節減やバッテリ動作時間の延長が必須のアプリケーションに最適です。

主な P チャネル MOSFET を選択

技術リソース

設計ガイド
設計ガイド
FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D)
この資料は、これらの部品をプリント基板 (PCB) に取り付ける際に考慮する必要のある、表面実装技術 (SMT) に関連する課題について説明します。 
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アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
MOSFET Support and Training Tools (Rev. C)
パワー MOSFET の設計をサポートするために必要な資料とツールをすべて検索。
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技術記事
技術記事
What type of ESD protection does your MOSFET include?
望ましくない MOSFET 障害を防止するための各種 ESD 保護機能の違いと、さまざまな ESD 構造に関する設計上の重要な検討事項をご確認ください。 
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設計と開発に役立つリソース

評価ボード
FemtoFET P チャネルの評価基板

FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

計算ツール
ロード・スイッチ・アプリケーション向け MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
シミュレーション・モデル
CSD23280F3 暗号化されていない PSpice モデル
開発中の設計に適した、暗号化されていない CSD23280F3 PSpice モデルをダウンロード。

P チャネル MOSFET 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。