電源 IC

MOSFET パワー・ブロック

TI の NexFET™ 同期整流・降圧 MOSFET

TI は、広範なパワー・ブロック製品ラインアップを提供しています。パワー・ブロックは PowerStack™ 技術を活用しながら、最適化した制御機能と同期整流 FET を組み合わせ、寄生容量の除去と、効率とスイッチング周波数の向上を実現します。

パワー・ブロックは TI コントローラとともに、高い性能と電力密度が必要な同期整流・昇降圧アプリケーションに使用されています。

パワー・ブロック MOSFET

主な製品

デバイス
今すぐ注文
チャネル
VDS(V) 
VGS(V) 
電力損失(W)
Ploss 電流(A)
最大電流(A)

SON 3x3 パワー・ブロック

CSD86330Q3D
yes
N 30 10 1.5 15 20
CSD87335Q3D
yes
N 30 10 1.5 15 25
CSD87333Q3D
yes
N 30 10 1.5 8 15
CSD87334Q3D
yes
N 30 10 1.6 12 20

SON 5x6 パワー・ブロック

CSD86350Q5D
yes
N 25 10 2.8 25 40
CSD87355Q5D
yes
N 30 10 2.8 25 45
CSD87351Q5D
yes
N 30 10 2.5 20 32

放熱特性の比較

TI は、広範なパワー・ブロック製品ラインアップを提供しています。パワー・ブロックは PowerStack™ 技術を活用しながら、最適化した制御機能と同期整流 FET を組み合わせ、寄生容量の除去と、効率とスイッチング周波数の向上を実現します。パワー・ブロックは TI コントローラとともに、高い性能と電力密度が必要な同期整流・昇降圧アプリケーションに使用されています。

MOSFET
MOSFET

技術資料