カテゴリ別の参照
N チャネル MOSFET
最大 BVDSS (ブレークダウン電圧) が 30V 以下
最大 BVDSS (ブレークダウン電圧) が 40V ～ 100V
P チャネル MOSFET
パワー ブロック
電源向けパワー ブロック
各種パワー ブロックは 2 個の MOSFET を 1 個の PowerStack™ パッケージに内蔵しています。その結果、寄生インダクタンスを排除して効率を改善しやすくなります。
モーター制御向けパワー ブロック
TI の DualCool™ パッケージは PCB スペースを 50% 節減し、大電流能力と非常に小さいオン抵抗を組み合わせて導通損失を最小化します。
TI の MOSFET の詳細
UIS（unclamped inductive switching、クランプされていない誘導性スイッチング）定格は、1980 年代半ばに MOSFET データシートで一般的に掲載されるようになって以来、有用なパラメータであることが実証されてきました。実際のアプリケーションでは、FET の反復的なアバランシェは推奨されませんが、エンジニアはこの指標を使用して、問題を引き起こす可能性のある、より弱いデバイスを設計に組み込む事態を回避する方法を習得してきました。
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
MOSFET SOA は、抵抗、電流、最大電力、熱不安定性、および MOSFET 電圧という 5 つの個別の制限に基づいて描くことができます。MOSFET のデータシートで SOA 曲線を解釈する方法をご確認ください。
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
MOSFET の電流定格は、RDS(ON) やゲート電荷などのパラメータの決定方法とは異なり、計算によって求める値であり、さまざまな方法で算出できることをご確認ください。
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
MOSFET データシートに掲載されている他のさまざまなスイッチング パラメータを参照し、各パラメータがデバイス全体の性能とどのように関連しているのか (または関連していないのか) をご確認ください。
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
回路内での MOSFET の動作は、デバイスの放熱性能に大きく依存します。
FET データシートに掲載されている、接合部から周囲への熱インピーダンスおよび接合部からケースへの熱インピーダンスというパラメータと、それらの数値の導出方法についてご確認ください。
Understanding MOSFET data sheets, part 6 – thermal impedance
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定する方法をご確認ください。TI の MOSFET アプリケーションのエキスパートが、MOSFET 電力損失ツールをベースとする数あるアプリケーションの例を 1 つ紹介します。