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Hall Effect Sensors 概要

1879 年にエドウィン・ホールが初めて発見した「ホール・エフェクト」は、電界における誘起変化により磁場の有無を検出するために使用されています。現在のシリコンベースのホール・エフェクト・センサは、位置決めと速度と加速の検出や、物体の認識、インデックスの計数など、さまざまな産業用、車載向けアプリケーションで使用されています。

ホール・エフェクト・センサの特長

  • ソリッド・ステート・デバイスにシグナル・コンディショニングおよび保護ロジックが備わっている
  • 磁気センシングは非常に再現性に優れた処理である(機械的摩耗や断裂がない)
  • 処理が接触を必要としない
  • ホール・エフェクト・センサは、ちりやごみ、空気や RF ノイズの影響を受けない
  • ホール・エフェクト・センサは広い温度範囲で変化しない
  • デバイスはピン互換性があり、低コストである(3 ピンしかない)

DRV5013

2.5V ~ 38V デジタル・ラッチ・ホール・エフェクト・センサ


DRV5023

2.5V ~ 38V デジタル・スイッチ・ホール・エフェクト・センサ


DRV5033

2.5V ~ 38V デジタル・ユニポーラ・スイッチ・ホール・エフェクト・センサ


DRV5053

2.5V ~ 38V アナログ・バイポーラ・ホール・エフェクト・センサ

TI の DRV5000 ホール・エフェクト・センサは、多様なアプリケーションをサポートしています。
以下は主な例です。

  • 三相 BLDC(ブラシレス DC)モーター
  • インデックスの計数
  • 位置決めと速度と加速
  • プレゼンス検出
  • 近接センシング
  • 開閉検出

TI の統合型ホール・エフェクト・センサ・ソリューションの主な利点

  • 広い動作電源電圧範囲(2.5V ~ 38V)
  • 高電圧のロード・ダンプをサポート(最大 40V)
  • デバイスは起動時に、パワーオン "レディ" パルスを送信
  • 高速なパワーオン時間(35µsec)
  • 高速なスイッチング時間(15µsec 未満)
  • 逆電圧の保護(最大 -22V)
  • 過電流保護