CSD16327Q3 N-Channel NexFET Power MOSFET . | TIJ.co.jp

CSD16327Q3
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N-Channel NexFET Power MOSFET .

N-Channel NexFET Power MOSFET . - CSD16327Q3
データシート
 

概要

This 25-V, 3.4-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.

特長

  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

機能一覧

他の製品と比較 N チャネル・トランジスタ メール Excelへダウンロード
Part number オーダー・オプション VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD16327Q3 ご注文 25     Single     4.8     112     6.2     1.1     SON3x3       10     1.2       60     Yes    
CSD16323Q3 ご注文 25     Single     5.5     112     6.2     1.1     SON3x3       10     1.1     21     60     Yes    
CSD16340Q3 ご注文 25     Single     5.5     115     6.5     1.2     SON3x3     6.1     10     0.85       60     Yes