CSD17313Q2
この製品はすでに市場にリリースされており、ご購入できます。 一部の製品は、より新しい代替品を使用できる可能性があります。
30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET - CSD17313Q2
データシート
 

モデル (2)

タイトル カテゴリ 種類 日付
CSD17313Q2 PSpice Transient Model PSpice Model ZIP 2011年 1月 3日
CSD17313Q2 TINA-TI Transient Spice Model TINA-TI Spice Model TSM 2010年 5月 11日

設計キット&評価モジュール (2)

内容 型番 ソフトウェア/ツール・タイプ
DM38x カメラ・スターター・キット(CSK) TMDSCSK388 評価モジュールと評価ボード
TMS320DM8127 カメラ・スターター・キット(CSK) TMDSCSK8127 評価モジュールと評価ボード

リファレンス・デザイン

2 レベルのターンオフ保護機能搭載、車載、デュアルチャネル SiC MOSFET ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、SiC MOSFET をハーフ・ブリッジ構成で駆動する、車載認定済みの絶縁型ゲート・ドライバ・ソリューションです。このデザインは、デュアル・チャネルの絶縁型ゲート・ドライバのそれぞれに電力を供給する 2 個のプッシュプル・バイアス電源を搭載しており、各電源は +15V と -4V の出力電圧で 1W の出力電力を供給します。ゲート・ドライバは、4A のソース電流と 6A のピーク・シンク電流に対応できます。このドライバは強化絶縁型であり、8kV ピークと 5.7kV RMS の絶縁電圧に耐えるほか、100V/ns を上回る CMTI(同相モード過渡電圧耐性)を達成しています。このリファレンス・デザインは、2 レベルのターンオフ回路を搭載しており、短絡のシナリオが発生した場合でも、これらの回路は MOSFET を電圧オーバーシュートから保護します。2 番目のターンオフ回路で、DESAT 検出スレッショルドと遅延時間が構成可能です。フォールト信号とリセット信号のインターフェイスを目的として、ISO7721-Q1 デジタル・アイソレータを実装済みです。回路全体が、40mm × 40mm.の小型フォーム・ファクタを採用した 2 層 PCB ボードに搭載されています。

リファレンス・デザインの使用許可、知的財産権、免責事項に関する重要なお知らせを表示。

概要 Part Number 会社名 ツール・タイプ
12V 入力、同期整流・降圧、0.9V@7A PMP5752 Texas Instruments リファレンス・デザイン
3 ~ 4.2Vin、1.35Vout @ 4A、DDR3 LV、TPS51216 を使用 PMP6807 Texas Instruments リファレンス・デザイン

ソフトウェア (1)

Sync Buck MOSFET Loss Calculator  (ZIP 66 KB )    2011年 6月 2日    (英語)

開発ツール (2)

内容 型番 ソフトウェア/ツール・タイプ
降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール FETPWRCALC 計算ツール
電力損失計算ツール、MOSFET 製品用 MOSFET-LOSS-CALC 計算ツール