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CSD19538Q2
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CSD19538Q2

 

概要

この100V、49mΩ、SON 2mm×2mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

特長

  • 非常に低いQgおよびQgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛不使用
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 2mm×2mmプラスチック・パッケージ

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アプリケーション

  • PoE(Power Over Ethernet)
  • PSE(Power Sourcing Equipment)
  • モータ制御

機能一覧

他の製品と比較 N チャネル・トランジスタ メール Excelへダウンロード
Part number オーダー・オプション VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD19538Q2 ご注文 100     Single     59     34.4     4.3     0.8     SON2x2     20     3.2     13.1     14.4     No    
CSD19537Q3 ご注文 100     Single     14.5     219     16     2.9     SON3x3     20     3     53     50     No    
CSD19538Q3A ご注文 100     Single     61     36     4.3     0.8     SON3x3     20     3.2     13.7     15     No