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CSD75207W15

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.5mm x 1.5mm の WLP 封止、デュアル、コモン ソース、27mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) 81 Id peak (max) (A) -24 Id max cont (A) -3.9 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) 81 Id peak (max) (A) -24 Id max cont (A) -3.9 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) PDF | HTML 2014年 6月 12日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools (Rev. C) PDF | HTML 2023年 11月 22日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
アプリケーション・ノート AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

リファレンス・デザイン

TIDA-00100 — Bluetooth Low Energy(BLE)ビーコン・サブシステム向け屋内照明エネルギー・ハーベスト

Bluetooth Low Energy(BLE)ビーコン・サブシステム用屋内照明/エネルギー・ハーベストのリファレンス・デザインは、小売店の環境における標準的な屋内照明(250 ルクス超)のみを電力供給源として、Bluetooth Low Energy チップが BLE ビーコンを送信できるソリューションを実現します。

このサブシステム・リファレンス・デザインは、バッテリを内蔵していない点で既存のソリューションとは大きく異なっています。その結果、バッテリ交換とバッテリ充電の手間が不要で、バッテリのメンテナンスに関連するコストを節減できます。  (...)

設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YZF) 9 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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