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CSD85302L
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CSD85302L

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データシート
 

概要

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.

特長

  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV

All trademarks are the property of their respective owners.

機能一覧

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Part number オーダー・オプション VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) Logic level
CSD85302L ご注文 20     Dual Common Drain     24       37     6     1.4     LGA 1.35x1.35     29     10     0.9     Yes    
CSD83325L ご注文 12     Dual Common Drain     5.9       52     8.4     1.9     LGA     8.4     10     0.95     Yes    
CSD87313DMS ご注文 30     Dual Common Drain     5.5         28     6     SON3x3     6.6     10     0.9     Yes    
CSD87501L ご注文 30     Dual Common Drain     5.5     3.9     72     15     6     LGA       20     1.8     Yes