CSD87313DMS 30V デュアル N チャネル NexFET パワー MOSFET | TIJ.co.jp

CSD87313DMS
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30V デュアル N チャネル NexFET パワー MOSFET

 

概要

CSD87313DMSは30Vの共通ドレイン、デュアルNチャネル・デバイスで、USB Type-C/PDおよびバッテリ保護用に設計されています。このSON 3.3mm×3.3mmデバイスはソース間のオン抵抗が低いため損失が最小化され、部品数が少なくなるため、スペースの制約があるアプリケーションに適しています。

特長

  • 低いソース間オン抵抗
  • デュアル共通ドレインNチャネルMOSFET
  • 5Vゲートの駆動に最適化
  • 低いQgおよびQgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ

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機能一覧

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Part number オーダー・オプション VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) Logic level
CSD87313DMS ご注文 30     Dual Common Drain     5.5         28     6     SON3x3     6.6     10     0.9     Yes    
CSD83325L ご注文 12     Dual Common Drain     5.9       52     8.4     1.9     LGA     8.4     10     0.95     Yes    
CSD85302L ご注文 20     Dual Common Drain     24       37     6     1.4     LGA 1.35x1.35     29     10     0.9     Yes    
CSD87501L ご注文 30     Dual Common Drain     5.5     3.9     72     15     6     LGA       20     1.8     Yes