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CSD96371Q5M

アクティブ

SON 5 x 6mm 封止、20V、30A 同期整流降圧 NexFET™ 出力段

製品詳細

VDS (V) 25 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 25 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Operating temperature range (°C) -55 to 150 Features Ultra-low inductance package Rating Catalog
VDS (V) 25 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 25 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Operating temperature range (°C) -55 to 150 Features Ultra-low inductance package Rating Catalog
LSON-CLIP (DQP) 22 30 mm² 6 x 5
  • 92% System Efficiency at 30A
  • High Frequency Operation (Up To 2MHz)
  • High Density – SON 5-mm × 6-mm Footprint
  • Low Power Loss 3.4W at 30A
  • Ultra Low Inductance Package
  • System Optimized PCB Footprint
  • 3.3V and 5V PWM Signal Compatible
  • 3-State PWM Input
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Pre-Bias Start-Up Protection
  • Shoot Through Protection
  • RoHS Compliant – Lead Free Terminal Plating Halogen Free
  • 92% System Efficiency at 30A
  • High Frequency Operation (Up To 2MHz)
  • High Density – SON 5-mm × 6-mm Footprint
  • Low Power Loss 3.4W at 30A
  • Ultra Low Inductance Package
  • System Optimized PCB Footprint
  • 3.3V and 5V PWM Signal Compatible
  • 3-State PWM Input
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Pre-Bias Start-Up Protection
  • Shoot Through Protection
  • RoHS Compliant – Lead Free Terminal Plating Halogen Free

The CSD96371Q5M NexFET Power Stage has an optimized design for use in a high power high density Synchronous Buck converter. This product integrates the gate driver IC and Power MOSFETs to complete the power stage switching function. This combination produces high current, high efficiency, and high speed switching capability in a small 5-mm × 6-mm outline package. In addition, the PCB footprint has been optimized to help reduce design time and simplify the completion of the overall system design.

The CSD96371Q5M NexFET Power Stage has an optimized design for use in a high power high density Synchronous Buck converter. This product integrates the gate driver IC and Power MOSFETs to complete the power stage switching function. This combination produces high current, high efficiency, and high speed switching capability in a small 5-mm × 6-mm outline package. In addition, the PCB footprint has been optimized to help reduce design time and simplify the completion of the overall system design.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート Synchronous Buck NexFET Power Stage - CSD96371Q5M データシート 2012年 12月 5日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日

設計と開発

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LSON-CLIP (DQP) 22 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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