DRV8703D-Q1

アクティブ

車載対応、SPI 制御機能搭載、47V、ハーフブリッジ スマート ゲート ドライバ

製品詳細

Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 47 Sleep current (µA) 14 Control mode Independent 1/2-Bridge, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 47 Sleep current (µA) 14 Control mode Independent 1/2-Bridge, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • 車載アプリケーション用にAEC-Q100認定済み
    • デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度        -40℃~+125°C
  • 単一のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 2つの外部NチャネルMOSFETを駆動
    • 100% の PWM デューティ・サイクルをサポート
  • 5.5V ~ 45V の電源電圧範囲で動作
  • PWM制御インターフェイス
  • 構成用のシリアル・インターフェイス(DRV8703D-Q1)
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • スルー・レート制御を調整可能
  • 1.8V、3.3V、および5Vのロジック入力電圧をサポート
  • 電流シャント・アンプ
  • PWM電流レギュレーション機能を内蔵
  • 低消費電力のスリープ・モード
  • 保護機能
    • 電源の低電圧誤動作防止(UVLO)
    • チャージ・ポンプの低電圧(CPUV)誤動作防止
    • 過電流保護(OCP)
    • ゲート・ドライバ・フォルト(GDF)
    • サーマル・シャットダウン(TSD)
    • ウォッチドッグ・タイマ(DRV8703D-Q1)
    • フォルト状態出力(nFAULT)
  • 車載アプリケーション用にAEC-Q100認定済み
    • デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度        -40℃~+125°C
  • 単一のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 2つの外部NチャネルMOSFETを駆動
    • 100% の PWM デューティ・サイクルをサポート
  • 5.5V ~ 45V の電源電圧範囲で動作
  • PWM制御インターフェイス
  • 構成用のシリアル・インターフェイス(DRV8703D-Q1)
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • スルー・レート制御を調整可能
  • 1.8V、3.3V、および5Vのロジック入力電圧をサポート
  • 電流シャント・アンプ
  • PWM電流レギュレーション機能を内蔵
  • 低消費電力のスリープ・モード
  • 保護機能
    • 電源の低電圧誤動作防止(UVLO)
    • チャージ・ポンプの低電圧(CPUV)誤動作防止
    • 過電流保護(OCP)
    • ゲート・ドライバ・フォルト(GDF)
    • サーマル・シャットダウン(TSD)
    • ウォッチドッグ・タイマ(DRV8703D-Q1)
    • フォルト状態出力(nFAULT)

DRV870xD-Q1 デバイスは、2 つの外部 N チャネル MOSFET を使用して単方向ブラシ付き DC モータ、またはソレノイド負荷を駆動できる、小型のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバです。

PWMインターフェイスにより、コントローラ回路と簡単に接続できます。内蔵の検出アンプによって電流制御機能を調整できます。内蔵のチャージ・ポンプにより100%デューティ・サイクルがサポートされ、外部の逆極性バッテリ・スイッチの駆動に使用できます。独立のハーフ・ブリッジ・モードによりハーフ・ブリッジを共有し、複数のDCモータをシーケンシャルに、コスト効率の高い方法で制御できます。ゲート・ドライバには、オフ時間が固定されたPWM電流チョッピングにより巻線電流を調整するための回路が含まれています。

DRV870xD-Q1 デバイスにはスマート・ゲート・ドライブ・テクノロジが含まれているため、外部のゲート部品 (抵抗やツェナー・ダイオード) を必要とせず、外部 FET を保護できます。スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャはデッドタイムを最適化することで貫通電流状況を回避し、プログラム可能なスルーレート制御により電磁気干渉(EMI)を柔軟に低減し、いかなるゲート短絡状況からも保護を行えます。さらに、アクティブおよびパッシブ・プルダウンが組み込まれており、あらゆる dv/dt ゲート・ターンオンを防止できます。

DRV870xD-Q1 デバイスは、2 つの外部 N チャネル MOSFET を使用して単方向ブラシ付き DC モータ、またはソレノイド負荷を駆動できる、小型のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバです。

PWMインターフェイスにより、コントローラ回路と簡単に接続できます。内蔵の検出アンプによって電流制御機能を調整できます。内蔵のチャージ・ポンプにより100%デューティ・サイクルがサポートされ、外部の逆極性バッテリ・スイッチの駆動に使用できます。独立のハーフ・ブリッジ・モードによりハーフ・ブリッジを共有し、複数のDCモータをシーケンシャルに、コスト効率の高い方法で制御できます。ゲート・ドライバには、オフ時間が固定されたPWM電流チョッピングにより巻線電流を調整するための回路が含まれています。

DRV870xD-Q1 デバイスにはスマート・ゲート・ドライブ・テクノロジが含まれているため、外部のゲート部品 (抵抗やツェナー・ダイオード) を必要とせず、外部 FET を保護できます。スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャはデッドタイムを最適化することで貫通電流状況を回避し、プログラム可能なスルーレート制御により電磁気干渉(EMI)を柔軟に低減し、いかなるゲート短絡状況からも保護を行えます。さらに、アクティブおよびパッシブ・プルダウンが組み込まれており、あらゆる dv/dt ゲート・ターンオンを防止できます。

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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

DRV8703D-Q1EVM — DRV8703D-Q1 automotive half-bridge brushed DC motor gate driver with SPI evaluation module

The DRV8703D-Q1EVM (evaluation module) serves as an evaluation kit to demonstrate TI's DRV8703D-Q1 Half-bridge gate driver. An MSP430G2553 is used to control the duty cycle and direction of the motor, while also monitoring the motor current reported from the DRV8703D-Q1. The power stage is created (...)
ユーザー ガイド: PDF
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VQFN (RHB) 32 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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