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MOSFET ゲート・ドライバ

EMB1412 は生産中止予定です
以下の代替品のいずれかをご検討ください。
open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと類似の機能
UCC27512 アクティブ 5V UVLO、分割出力対応、SON パッケージ封止、4A/8A、シングルチャネル・ゲート・ドライバ Replacement

製品詳細

Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog
Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート EMB1412 MOSFET Gate Driver データシート (Rev. B) PDF | HTML 2014年 11月 20日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 イネーブル付き、デュアル、4A、高速ローサイド MOSFET ドライバの評価モジュール(EVM)

The UCC2742xQ1 EVM is a high-speed dual MOSFET evaluation module that provides a test platform for a quick and easy startup of the UCC2742xQ1 driver. Powered by a single 4V to 15V external supply, and featuring a comprehensive set of test points and jumpers. All of the devices have separate input (...)
ユーザー ガイド: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
HVSSOP (DGN) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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