ISO5452-Q1 ISO5452-Q1 高 CMTI 2.5A / 5A、絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力付 | TIJ.co.jp

ISO5452-Q1
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ISO5452-Q1 高 CMTI 2.5A / 5A、絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力付

 

概要

ISO5452-Q1デバイスは、5.7kVRMS、IGBTおよびMOSFET用の強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V~5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。
2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。
OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

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不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5452-Q1は、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~125℃の周囲温度範囲について規定されています。

特長

  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度        –40℃~125℃ 範囲
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • 同相過渡耐圧(CMTI): 50kV/μs (最小値)、100kV/μs (標準値)
    (VCM = 1500V)
  • 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
    5Aのピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V~30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 10000VPK
  • 安全性および規制の認定
    • 8000VPK VIOTMおよび1420VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ:
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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機能一覧

他の製品と比較 絶縁型ゲート・ドライバ メール Excelへダウンロード
Part number オーダー・オプション Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group
ISO5452-Q1 ご注文 5700     8000     1420     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5451-Q1 ご注文 5700     8000     1420     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5851-Q1 ご注文 5700     8000     2121     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5852S-Q1 ご注文 5700     8000     2121     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
UCC21710-Q1 ご注文 5700     8400     2121     1     IGBT
SiCFET    
  33     13     3     5.5     10     90     -40 to 125     SOIC | 16    
UCC21732-Q1 ご注文 5700     8400     2121     1     IGBT
SiCFET    
    33     13     3     5.5     10     90     -40 to 125     SOIC | 16    
UCC21750-Q1 ご注文 5700