LM5113-Q1 Automotive, 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs | TIJ.co.jp

LM5113-Q1 (供給中) Automotive, 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

 

概要

LM5113-Q1は、車載用途向けに、同期整流の降圧、昇圧、またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドおよびローサイド両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETまたはシリコンMOSFETを駆動するよう設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイド出力とローサイド出力用にそれぞれ独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧は内部で5.2Vにクランプされるため、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。デバイスの入力はTTLロジック互換で、VDD電圧にかかわらず最高14Vの入力電圧に耐えられます。LM5113-Q1には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM5113-Q1の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113-Q1の最大動作周波数は数MHzです。LM5113-Q1は標準の10ピンWSONパッケージで供給され、電力放熱の補助として露出パッドが付属します。

特長

  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲-40°C~125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル1C
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • ハイサイドとローサイドで独立したTTLロジック入力
  • ピーク・ソース1.2A、ピーク・シンク5Aの出力電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 高速伝搬時間(標準28ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力

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機能一覧

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Part number オーダー・オプション Number of channels (#) Power switch Peak output current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise time (ns) Fall time (ns) Prop delay (ns) Input threshold Features Rating Operating temperature range (C) Package Group
LM5113-Q1 ご注文 2     MOSFET
GaNFET    
5     4.5     5.5     7     3.5     30     TTL       Automotive     -40 to 125     WSON | 10    
LMG1020 ご注文 1     MOSFET
GaNFET    
7     4.75     5.25     0.4     0.4     2.5     TTL     low-side, ultra-fast     Catalog     -40 to 125     DSBGA | 6    
LMG1205 ご注文 2     MOSFET
GaNFET    
5     4.5     5.5     7     3.5     35     TTL       Catalog     -40 to 125     DSBGA | 12    
LMG1210 ご注文 2     MOSFET
GaNFET    
3     6     18     0.5     0.5     10     TTL       Catalog     -40 to 125     WQFN | 19