ホーム パワー・マネージメント ゲート・ドライバ ハーフ・ブリッジ・ドライバ

LM5113-Q1

アクティブ

車載、1.2A/5A、100V、GaNFET 向けハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ

製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲-40°C~125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル1C
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • ハイサイドとローサイドで独立したTTLロジック入力
  • ピーク・ソース1.2A、ピーク・シンク5Aの出力電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 高速伝搬時間(標準28ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲-40°C~125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル1C
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • ハイサイドとローサイドで独立したTTLロジック入力
  • ピーク・ソース1.2A、ピーク・シンク5Aの出力電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最大100VDCで動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよびターンオフの強度を変更可能
  • プルダウン0.6Ω、プルアップ2.1Ωの抵抗
  • 高速伝搬時間(標準28ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング(標準1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力

LM5113-Q1は、車載用途向けに、同期整流の降圧、昇圧、またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドおよびローサイド両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETまたはシリコンMOSFETを駆動するよう設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイド出力とローサイド出力用にそれぞれ独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧は内部で5.2Vにクランプされるため、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。デバイスの入力はTTLロジック互換で、VDD電圧にかかわらず最高14Vの入力電圧に耐えられます。LM5113-Q1には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM5113-Q1の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113-Q1の最大動作周波数は数MHzです。LM5113-Q1は標準の10ピンWSONパッケージで供給され、電力放熱の補助として露出パッドが付属します。

LM5113-Q1は、車載用途向けに、同期整流の降圧、昇圧、またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドおよびローサイド両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETまたはシリコンMOSFETを駆動するよう設計されています。このデバイスには100Vのブートストラップ・ダイオード、およびハイサイド出力とローサイド出力用にそれぞれ独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧は内部で5.2Vにクランプされるため、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース電圧定格を超過することが防止されます。デバイスの入力はTTLロジック互換で、VDD電圧にかかわらず最高14Vの入力電圧に耐えられます。LM5113-Q1には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に設定可能な柔軟性があります。

さらに、LM5113-Q1の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113-Q1の最大動作周波数は数MHzです。LM5113-Q1は標準の10ピンWSONパッケージで供給され、電力放熱の補助として露出パッドが付属します。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
LMG1205 アクティブ 5V UVLO 搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.2A、5A、90V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ This device is pin-to-pin with improved start up performance.

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
8 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LM5113-Q1 車載用90V、1.2A、5A、ハーフブリッジGaNドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2018年 5月 21日
アプリケーション・ノート Implementing Bootstrap Overcharge Prevention in GaN Half-bridge Circuits PDF | HTML 2023年 11月 15日
アプリケーション概要 GaN Driver Schematic and Layout Recommendations PDF | HTML 2022年 8月 10日
アプリケーション概要 Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション概要 Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション概要 How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2022年 8月 2日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LM5113LLPEVB — LM5113 評価ボード

The LM5113 evaluation board is designed to provide the design engineers with a synchronous buck converter to evaluate the LM5113, a 100V half-bridge enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FET driver. The active clamping voltage mode controller LM5025 is used to generate the PWM signals of the buck (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

LM5113 PSpice Transient Model (Rev. D)

SNVM043D.ZIP (43 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LM5113 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SNVM460A.TSC (613 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

LM5113 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNVM459A.ZIP (16 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

LM5113 Unencrypted Spice Transient Model (Rev. B)

SNVJ002B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
計算ツール

SNVR523 LM5113(-Q1) Component Design Calculator and Schematic Review

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
ハーフ・ブリッジ・ドライバ
LM5113-Q1 車載、1.2A/5A、100V、GaNFET 向けハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ ピン数 ダウンロード
WSON (DPR) 10 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ