LM5113
1.2A/5A、90V、GaNFET 向けハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
LM5113
- 互いに独立したハイサイドおよびローサイド TTL ロジック入力
- 1.2A/5A のピーク・ソース/シンク電流
- ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最高 100VDC で動作可能
- 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
- 出力の分割により、ターンオンおよび
ターンオフの強度を変更可能 - 0.6Ω/2.1Ω のプルダウン/プルアップ抵抗
- 短い伝播遅延 (標準値 28ns)
- 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
LM5113デバイスは、同期降圧またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vで動作するハイサイドのエンハンスメント・モードGaN FETを駆動できます。ハイサイドのバイアス電圧は、ブートストラップ手法によって生成され、内部で5.2Vにクランプされています。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース間電圧定格を超えるのを防ぎます。LM5113の入力はTTLロジック互換であり、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を独立に調整できる柔軟性があります。
LMG1205は、LM5113の拡張版です。LMG1205はLM5113のデザインを基礎として、スタートアップ・ロジック、レベル・シフタ、電源オフVgsクランプの拡張により、さらに堅牢なソリューションを可能にします。
また、LM5113の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113の最大動作周波数は数MHzです。LM5113は、標準のWSON-10ピン・パッケージおよび12バンプDSBGAパッケージで供給されます。WSON-10ピン・パッケージには、電力消費能力を高めるための露出したパッドが備えられています。DSBGAパッケージはコンパクトで占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化されています。
技術資料
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
LM5113 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)
LM5113 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
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設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
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PMP4435 — 48V 入力、300W 1/8 ブリック、デジタル・モジュール、GaN FET 付、リファレンス・デザイン
パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
---|---|---|
DSBGA (YFX) | 12 | オプションの表示 |
WSON (DPR) | 10 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点