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1.2A/5A、90V、GaNFET 向けハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

LM5113 は新規設計での使用を推奨しません
従来の設計をサポートできるようにこの製品は引き続き生産中ですが、TI はこの製品を新規の設計には推奨しません。以下の代替品のいずれかをご検討ください。
open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスにアップグレード機能を搭載した、ドロップ・イン代替製品
LM5113-Q1 アクティブ 車載、1.2A/5A、100V、GaNFET 向けハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ Automotive qualified

製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm² 1.8 x 1.8 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 互いに独立したハイサイドおよびローサイド TTL ロジック入力
  • 1.2A/5A のピーク・ソース/シンク電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最高 100VDC で動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよび
    ターンオフの強度を変更可能
  • 0.6Ω/2.1Ω のプルダウン/プルアップ抵抗
  • 短い伝播遅延 (標準値 28ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • 互いに独立したハイサイドおよびローサイド TTL ロジック入力
  • 1.2A/5A のピーク・ソース/シンク電流
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは最高 100VDC で動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよび
    ターンオフの強度を変更可能
  • 0.6Ω/2.1Ω のプルダウン/プルアップ抵抗
  • 短い伝播遅延 (標準値 28ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力

LM5113デバイスは、同期降圧またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vで動作するハイサイドのエンハンスメント・モードGaN FETを駆動できます。ハイサイドのバイアス電圧は、ブートストラップ手法によって生成され、内部で5.2Vにクランプされています。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース間電圧定格を超えるのを防ぎます。LM5113の入力はTTLロジック互換であり、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を独立に調整できる柔軟性があります。

LMG1205は、LM5113の拡張版です。LMG1205はLM5113のデザインを基礎として、スタートアップ・ロジック、レベル・シフタ、電源オフVgsクランプの拡張により、さらに堅牢なソリューションを可能にします。

また、LM5113の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113の最大動作周波数は数MHzです。LM5113は、標準のWSON-10ピン・パッケージおよび12バンプDSBGAパッケージで供給されます。WSON-10ピン・パッケージには、電力消費能力を高めるための露出したパッドが備えられています。DSBGAパッケージはコンパクトで占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化されています。

LM5113デバイスは、同期降圧またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vで動作するハイサイドのエンハンスメント・モードGaN FETを駆動できます。ハイサイドのバイアス電圧は、ブートストラップ手法によって生成され、内部で5.2Vにクランプされています。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース間電圧定格を超えるのを防ぎます。LM5113の入力はTTLロジック互換であり、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を独立に調整できる柔軟性があります。

LMG1205は、LM5113の拡張版です。LMG1205はLM5113のデザインを基礎として、スタートアップ・ロジック、レベル・シフタ、電源オフVgsクランプの拡張により、さらに堅牢なソリューションを可能にします。

また、LM5113の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113の最大動作周波数は数MHzです。LM5113は、標準のWSON-10ピン・パッケージおよび12バンプDSBGAパッケージで供給されます。WSON-10ピン・パッケージには、電力消費能力を高めるための露出したパッドが備えられています。DSBGAパッケージはコンパクトで占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LM5113 80V、1.2A/5A、ハーフブリッジ GaN ドライバ データシート (Rev. I 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.I) PDF | HTML 2020年 6月 10日
アプリケーション概要 Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション概要 Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション概要 How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2022年 8月 2日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
アプリケーション・ノート Design Considerations for LMG1205 Advanced GaN FET Driver During High-Frequency (Rev. A) 2018年 5月 30日
技術記事 Create a power supply for an MRI application PDF | HTML 2017年 8月 14日
ホワイト・ペーパー A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015年 3月 2日
ホワイト・ペーパー GaN power module performance advantage in DC/DC converters 2015年 3月 2日
ホワイト・ペーパー GaNの将来性に基づく電源ソリューションの向上 英語版 2015年 3月 2日
EVM ユーザー ガイド (英語) AN-2149 LM5113 Evaluation Board User's Guide (Rev. B) PDF | HTML 2011年 10月 12日
その他の技術資料 LM5113 Prod Brief - 5A, 100V Half-Brdge Gate Drvr for Enhancement-Mode GaN FETs 2011年 6月 17日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

シミュレーション・モデル

LM5113 PSpice Transient Model (Rev. D)

SNVM043D.ZIP (43 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LM5113 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SNVM460A.TSC (613 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

LM5113 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNVM459A.ZIP (16 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

LM5113 Unencrypted Spice Transient Model (Rev. B)

SNVJ002B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
シミュレーション・ツール

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試験報告書: PDF
回路図: PDF
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試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YFX) 12 オプションの表示
WSON (DPR) 10 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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