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LM74610-Q1

アクティブ

車載対応、0.48V ~ 42V、ゼロ静止電流 (IQ)、理想ダイオード・コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 10 IGate source (max) (µA) 9.4 IGate sink (typ) (mA) 0.01 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 1.5 VGS (max) (V) 2.5 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
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VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Maximum reverse voltage of 45 V
  • No Positive Voltage limitation to Anode Terminal
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
    MOSFET
  • Lower Power Dissipation than Schottky
    Diode/PFET Solutions
  • Low Reverse Leakage Current
  • Zero IQ
  • Fast 2-µs Response to Reverse Polarity
  • –40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
  • Can be Used in OR-ing Applications
  • Meets CISPR25 EMI Specification
  • Meets Automotive ISO7637 Transient
    Requirements with a Suitable TVS Diode
  • No Peak Current Limit
  • Qualified for Automotive Applications
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    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Maximum reverse voltage of 45 V
  • No Positive Voltage limitation to Anode Terminal
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
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  • Low Reverse Leakage Current
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  • Fast 2-µs Response to Reverse Polarity
  • –40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
  • Can be Used in OR-ing Applications
  • Meets CISPR25 EMI Specification
  • Meets Automotive ISO7637 Transient
    Requirements with a Suitable TVS Diode
  • No Peak Current Limit

The LM74610-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in a reverse polarity protection circuitry. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. A unique advantage of this scheme is that it is not referenced to ground and thus has Zero Iq.

The LM74610-Q1 controller provides a gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to discharge the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This fast pull-down feature limits the amount and duration of reverse current flow if opposite polarity is sensed. The device design also meets CISPR25 Class 5 EMI specifications and automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode.

The LM74610-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in a reverse polarity protection circuitry. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. A unique advantage of this scheme is that it is not referenced to ground and thus has Zero Iq.

The LM74610-Q1 controller provides a gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to discharge the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This fast pull-down feature limits the amount and duration of reverse current flow if opposite polarity is sensed. The device design also meets CISPR25 Class 5 EMI specifications and automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode.

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技術資料

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設計と開発

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VSSOP (DGK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

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