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LM74670-Q1

アクティブ

車載対応、70μA ゲート・ドライブ搭載、0.48V ~ 42V、ゼロ静止電流 (IQ)、理想ダイオード整流器コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 250 VGS (max) (V) 2.5 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
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VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Peak Input AC Voltage: 42 V
  • Zero IQ
  • Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
  • Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
  • Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Peak Input AC Voltage: 42 V
  • Zero IQ
  • Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
  • Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
  • Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency

The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.

The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.

The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.

The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
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e-Book(PDF) 11 Ways to Protect Your Power Path(英語) 英語版 2020年 10月 30日
EVM ユーザー ガイド (英語) LM74670-SQEVM User's Guide 2015年 10月 20日

設計と開発

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VSSOP (DGK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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