LMG1210 調整可能なデッドタイム機能搭載、200V, 1.5A/3A ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ | TIJ.co.jp

LMG1210
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調整可能なデッドタイム機能搭載、200V, 1.5A/3A ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ

 

概要

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0~20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C~125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。

特長

  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
  • 最小パルス幅:4ns
  • 2 つの制御入力オプション
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI:300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ

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機能一覧

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Part number オーダー・オプション Number of channels (#) Power switch Bus voltage (Max) (V) Peak output current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise time (ns) Fall time (ns) Prop delay (ns) Iq (uA) Input threshold Channel input logic Negative voltage handling at HS pin (V) Features Rating Operating temperature range (C) Package Group
LMG1210 ご注文 2     MOSFET
GaNFET    
300     3     6     18     0.5     0.5     10     300     TTL     TTL/PWM       Resistor-controllable deadtime
Internal LDO
Bootstrap supply voltage clamp    
Catalog     -40 to 125     WQFN | 19    
LM5113-Q1 ご注文 2     MOSFET
GaNFET    
100     5     4.5     5.5     7     3.5     30     150     TTL     TTL     -5     Bootstrap supply voltage clamping
Split outputs on high and low side    
Automotive     -40 to 125     WSON | 10    
LMG1020 ご注文 1     MOSFET
GaNFET    
  7     4.75     5.25     0.4     0.4     2.5       TTL     Inverting
Non-inverting    
  low-side, ultra-fast     Catalog     -40 to 125     DSBGA | 6    
LMG1205 ご注文 2     MOSFET
GaNFET    
  5     4.5     5.5     7     3.5     35     90     TTL     TTL     -5     Bootstrap supply voltage clamping
Split outputs on high and low side    
Catalog     -40 to 125     DSBGA | 12