LMG1210 調整可能なデッドタイム機能搭載、200V, 1.5A/3A ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ | TIJ.co.jp

LMG1210 (開発中)

調整可能なデッドタイム機能搭載、200V, 1.5A/3A ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ

調整可能なデッドタイム機能搭載、200V, 1.5A/3A ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ - LMG1210
 

Sample Availability

Experimental samples are available (XLMG1210RVRT). Request now

概要

LMG1210は200V、ハーフブリッジの高性能窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)ドライバで、高いスイッチング速度、最小のデッド・タイム、高い効率が必要なアプリケーション向けに設計されています。より高い補助電圧が使用されるときでも、駆動電圧は内部LDOにより正確に5Vに制御されます。

LMG1210 GaNドライバは、超高周波数のアプリケーション用に設計されており、デッド・タイムを変更可能で、伝播遅延が非常に短く、ハイサイド-ローサイド間のマッチングが1.5nsで、システムの効率を最適化できます。

Gan FET両端での追加寄生容量が1pF未満に最小化されているため、スイッチング損失の増大を抑えることができます。外部のブートストラップ・ダイオードにより、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電し、回路に最適な動作条件を選択できます。

内部スイッチにより、ローサイドがオンでないときはブートストラップ・ダイオードがオフになることで、実質的にハイサイドのブートストラップの過充電を防止し、ブートストラップ・ダイオードとしてシリコン・ダイオードが使用されているときの逆方向回復充電を最小限にします。

GaNドライバは、独立入力モード(IIM)とPWMモードの2種類のモードで動作できます。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0~20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40℃~125℃の広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。

特長

  • 50MHzの超高速動作
    • 10nsの標準伝播遅延
    • 1.5nsのハイサイド-ローサイド間マッチング
    • パルス幅: 3ns以上
  • 1.5Aピーク・ソース電流および3.1Aピーク・シンク電流
  • 調整可能なデッド・タイム制御機能
  • 業界最高のスルー・レート耐性: 300V/ns
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • ハイサイドからローサイドの容量が1pF未満
  • UVLOおよび過熱保護
  • 低インダクタンスのWQFNパッケージ

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機能一覧 他の製品と比較  ハーフ・ブリッジ・ドライバ

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
LMG1210 LM5113-Q1 LMG1020 LMG1205
2     2     1     2    
MOSFET
GaNFET    
MOSFET
GaNFET    
MOSFET
GaNFET    
MOSFET
GaNFET    
3     5     7     5    
6     4.5     4.75     4.5    
18     5.5     5.25     5.5    
0.5     7     0.21     7    
0.5     3.5     0.21     3.5    
10     30     2.5     35    
TTL     TTL     TTL     TTL    
Catalog     Automotive     Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125    
WQFN | 19     WSON | 10     DSBGA | 6     DSBGA | 12