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Gallium nitride (GaN) power stages

LMG3410R050

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ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN

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LMG3410R050

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製品詳細

VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 50
VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 50
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
  • 統合型ゲート・ドライバ
    • 共通ソース・インダクタンスが 0
    • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを 25～100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
    • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールの UVLO 保護
  • 堅牢な保護
    • LMG3410R050：ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R050：サイクル単位の過電流保護
    • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
    • 高密度の電力変換設計が可能
      • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
      • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
      • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
      • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
      • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
    • 統合型ゲート・ドライバ
      • 共通ソース・インダクタンスが 0
      • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
      • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
      • スルー・レートを 25～100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
    • 堅牢な保護
      • 外付けの保護部品が不要
      • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
      • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
      • 過渡過電圧耐性
      • 過熱保護
      • すべての電源レールの UVLO 保護
    • 堅牢な保護
      • LMG3410R050：ラッチ付き過電流保護
      • LMG3411R050：サイクル単位の過電流保護

      ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

      LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

      ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

      LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。
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      詳細

      LMG3410R050 開発キットを採用すると、GaN の設計を開始できます。

      お客様が関心を持ちそうな類似品

      open-in-new 代替品と比較
      比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
      LMG3411R050 アクティブ ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN Different overcurrent protection response behavior.
      比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
      LMG3422R050 アクティブ ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET 12 x 12 mm package with temperature reporting and overtemperature and short-circuit protection

      技術資料

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      種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
      * データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
      ホワイト・ペーパー Achieving High Efficiency and Enabling Integration in EV Powertrain Subsystems (Rev. A) PDF | HTML 2023年 7月 17日
      ホワイト・ペーパー Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021年 6月 2日
      ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
      ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
      ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 2021年 1月 5日
      その他の技術資料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
      Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020年 9月 22日
      アプリケーション・ノート Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 2020年 8月 4日
      その他の技術資料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
      EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
      アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
      技術記事 Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts PDF | HTML 2018年 12月 19日
      アプリケーション概要 Overcurrent Protection in High-Density GaN Power Designs 2018年 10月 19日
      その他の技術資料 Product-level Reliability of GaN Devices 2016年 4月 26日
      ホワイト・ペーパー Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日

      設計と開発

      その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

      評価ボード

      LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

      LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

      (...)

      ユーザー ガイド: PDF
      TI.com で取り扱いなし
      ドーター・カード

      LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

      LMG3410EVM-018 は、2 個の LMG3410R050 600V GaN FET と、内蔵のドライバや保護機能を組み合わせ、1 個のハーフブリッジを構成しています。この EVM は、必要な補助ペリフェラル回路全体を搭載しており、より大規模なシステムと組み合わせた場合も動作する設計を採用しています。
      ユーザー ガイド: PDF
      TI.com で取り扱いなし
      シミュレーション・モデル

      LMG3410R050 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

      SNOM689A.ZIP (44 KB) - PSpice Model
      ダウンロード
      計算ツール

      LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

      Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
      lock = 輸出許可が必要 (1 分)
      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      GaN (窒化ガリウム) IC
      LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
      Gallium nitride (GaN) power stages
      LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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      SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      Gallium nitride (GaN) power stages
      LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
      ダウンロード
      計算ツール

      SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      Gallium nitride (GaN) power stages
      LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
      ダウンロード
      リファレンス・デザイン

      PMP40690 — C2000™ マイコンと GaN を使用する 4kW インターリーブ CCM トーテムポール・ブリッジレス PFC のリファレンス・デザイン

      This reference design is a 4-kW interleaved CCM totem pole (TTPL) bridgeless PFC reference design using a 64-pin C2000™ microcontroller, LM3410 gallium nitride device and TMCS1100 hall sensor. It is based on TIDM-02008 bidirectional interleaved CCM TTPL bridgeless PFC reference (...)
      試験報告書: PDF
      回路図: PDF
      パッケージ ピン数 ダウンロード
      VQFN (RWH) 32 オプションの表示
      TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

      購入と品質

      記載されている情報：
      • RoHS
      • REACH
      • デバイスのマーキング
      • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
      • MSL 定格 / ピーク リフロー
      • MTBF/FIT 推定値
      • 材質成分
      • 認定試験結果
      • 継続的な信頼性モニタ試験結果
      記載されている情報：
      • ファブの拠点
      • 組み立てを実施した拠点

      サポートとトレーニング

      TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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      コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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