LMG3410R050 ドライバ / 保護機能内蔵 600V、50mΩ GaN | TIJ.co.jp

LMG3410R050 (開発中)

ドライバ / 保護機能内蔵 600V、50mΩ GaN

 

Sample Availability and More Information

Prototype samples are available (XLMG3410R050RWHT). Request now

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概要

ドライバおよび保護機能を内蔵したLMG3410R050 GaN電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG3410の本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCなどの高密度高効率のトポロジが可能になります。

あらゆる電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化するための一連の独自機能を組み込んだLMG3410R050は、従来のカスコードおよびスタンドアロンGaN FETに代わるスマート・デバイスです。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

特長

  • TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
  • ゲート・ドライバを内蔵
    • 共通ソース・インダクタンスが0
    • MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを25~100V/nsの範囲でユーザー設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間100ns未満の過電流保護
    • 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールのUVLO保護

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機能一覧

他の製品と比較 GaN FETのパワーステージ メール Excelへダウンロード
Part number オーダー・オプション Prop delay (ns) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)
LMG3410R050 ご注文 20     Catalog     -40 to 125     VQFN | 32     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)    
LMG3410R070 ご注文 20     Catalog     -40 to 125     VQFN | 32     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)    
LMG3411R050 ご注文 20     Catalog     -40 to 125     VQFN | 32     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)    
LMG3411R070 ご注文 20     Catalog     -40 to 125     VQFN | 32     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)    
LMG3411R150 ご注文 20     Catalog     -40 to 125     VQFN | 32     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)    
LMG5200 ご注文 29.5     Catalog     -40 to 125     QFM | 9     See datasheet (QFM)