LMG5200 LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ電源モジュール | TIJ.co.jp

LMG5200
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LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ電源モジュール

 

概要

LMG5200デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。

GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、簡単にPCBへ取り付けできます。

TTLロジック互換の入力は、VCC電圧にかかわらず最高12Vの入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モードGaN FETのゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリートGaN FETに対して、より使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム・ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。LMG5200をTPS53632Gコントローラとともに使用すると、48Vからポイント・オブ・ロード電圧(0.5~1.5V)への直接変換が可能です。

特長

  • 15mΩ GaN FETおよびドライバを内蔵
  • 電圧定格: 連続80V、パルス100V
  • PCBレイアウトが簡単になるようパッケージを最適化、アンダーフィル、クリーページ、クリアランスの要件を撤廃
  • 共通ソース・インダクタンスが非常に低いため、ハード・スイッチングのトポロジで過剰なリンギングなしに高いスルー・レートのスイッチングを保証
  • 絶縁および非絶縁アプリケーションに最適
  • ゲート・ドライバは最高10MHzのスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FETオーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 非常に優れた伝搬遅延(標準値29.5ns)およびマッチング(標準値2ns)
  • 低消費電力

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機能一覧

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Part number オーダー・オプション RDS (on) (Milliohm) VDS (Max) (V) ID (Max) (A) Approx. price (US$) Package size: mm2:W x L (PKG) Rating
LMG5200 ご注文 15     80     10     6.50 | 1ku     9QFM: 48 mm2: 6 x 8 (QFM | 9)     Catalog    
LMG3410R050 ご注文 50     600     12       32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     Catalog    
LMG3410R070 ご注文 70     600     12       32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     Catalog    
LMG3410R150 ご注文 150     600     6       32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     Catalog    
LMG3411R050 ご注文 50     600     12       32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     Catalog    
LMG3411R070 ご注文 70     600     12       32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     Catalog    
LMG3411R150 ご注文 150     600     6       32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     Catalog