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LMG5200

アクティブ

80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段

製品詳細

VDS (max) (V) 80 RDS(on) (mΩ) 15 ID (max) (A) 10 Features Half-bridge Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 80 RDS(on) (mΩ) 15 ID (max) (A) 10 Features Half-bridge Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
QFM (MOF) 9 48 mm² 8 x 6
  • 15mΩ GaN FETおよびドライバを内蔵
  • 電圧定格: 連続80V、パルス100V
  • PCBレイアウトが簡単になるようパッケージを最適化、アンダーフィル、クリーページ、クリアランスの要件を撤廃
  • 共通ソース・インダクタンスが非常に低いため、ハード・スイッチングのトポロジで過剰なリンギングなしに高いスルー・レートのスイッチングを保証
  • 絶縁および非絶縁アプリケーションに最適
  • ゲート・ドライバは最高10MHzのスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FETオーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 非常に優れた伝搬遅延(標準値29.5ns)およびマッチング(標準値2ns)
  • 低消費電力
  • 15mΩ GaN FETおよびドライバを内蔵
  • 電圧定格: 連続80V、パルス100V
  • PCBレイアウトが簡単になるようパッケージを最適化、アンダーフィル、クリーページ、クリアランスの要件を撤廃
  • 共通ソース・インダクタンスが非常に低いため、ハード・スイッチングのトポロジで過剰なリンギングなしに高いスルー・レートのスイッチングを保証
  • 絶縁および非絶縁アプリケーションに最適
  • ゲート・ドライバは最高10MHzのスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FETオーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 非常に優れた伝搬遅延(標準値29.5ns)およびマッチング(標準値2ns)
  • 低消費電力

LMG5200デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。

GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、簡単にPCBへ取り付けできます。

TTLロジック互換の入力は、VCC電圧にかかわらず最高12Vの入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モードGaN FETのゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリートGaN FETに対して、より使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム・ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。LMG5200をTPS53632Gコントローラとともに使用すると、48Vからポイント・オブ・ロード電圧(0.5~1.5V)への直接変換が可能です。

LMG5200デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。

GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、簡単にPCBへ取り付けできます。

TTLロジック互換の入力は、VCC電圧にかかわらず最高12Vの入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モードGaN FETのゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリートGaN FETに対して、より使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム・ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。LMG5200をTPS53632Gコントローラとともに使用すると、48Vからポイント・オブ・ロード電圧(0.5~1.5V)への直接変換が可能です。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG5200 80V、10A GaNハーフ・ブリッジ電力ステージ データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2017年 8月 3日
セレクション・ガイド Current Sense Amplifiers (Rev. E) 2021年 9月 20日
e-Book(PDF) E-book:産業用ロボット設計に関するエンジニア・ガイド 英語版 2020年 3月 25日
e-Book(PDF) E-book: An engineer’s guide to industrial robot designs.. 2020年 3月 25日
アプリケーション・ノート Dual-Axis Motor Control Using FCL and SFRA On a Single C2000™ MCU PDF | HTML 2019年 8月 7日
技術記事 Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts PDF | HTML 2018年 12月 19日
技術記事 The sound of GaN PDF | HTML 2018年 6月 26日
EVM ユーザー ガイド (英語) BOOSTXL-3PhGaNInv Evaluation Module User Guide (Rev. A) 2018年 4月 18日
アプリケーション・ノート Dual Motor Ctl Using FCL and Perf Analysis Using SFRA on TMS320F28379D LaunchPad (Rev. A) 2018年 3月 20日
アプリケーション・ノート Performance Analysis of Fast Current Loop (FCL) in Servo 2018年 3月 6日
技術記事 GaN reliability standards reach milestone PDF | HTML 2017年 9月 18日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG5200POLEVM-10A GaN 48V-1V Point-of-Load EVM (Rev. B) 2017年 8月 2日
ホワイト・ペーパー パワー・プロセス・チェーンを 通じて進化する高電圧給電 英語版 2017年 5月 17日
技術記事 The power to innovate industrial design PDF | HTML 2017年 3月 27日
技術記事 The power to do even more with GaN PDF | HTML 2017年 3月 25日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG5200EVM-02 GaN Half-Bridge Power Stage EVM 2017年 2月 28日
技術記事 Gallium nitride transistors open up new frontiers in high-speed motor drives PDF | HTML 2016年 12月 12日
技術記事 Five benefits of enhanced PWM rejection for in-line motor control PDF | HTML 2016年 11月 8日
技術記事 What’s next for Industry 4.0? The best new technologies shaping the future of smar PDF | HTML 2016年 11月 7日
技術記事 Rethinking server power architecture in a post-silicon world: Getting from 48 Vin PDF | HTML 2016年 8月 1日
技術記事 Enabling 48V-to-POL single-stage conversion with GaN PDF | HTML 2016年 7月 5日
技術記事 Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more! PDF | HTML 2016年 3月 28日
技術記事 Let’s GaN together, reliably PDF | HTML 2016年 3月 22日
技術記事 Control a GaN power stage with a Hercules™ LaunchPad™ development kit – part 2 PDF | HTML 2016年 3月 17日
技術記事 Control a GaN power stage with a Hercules™ LaunchPad™ development kit – part 1 PDF | HTML 2016年 2月 23日
技術記事 GaN to the rescue! Part 2: Measurements PDF | HTML 2016年 1月 7日
技術記事 Simulating electromagnetic interference – is it possible? PDF | HTML 2015年 12月 1日
ホワイト・ペーパー Redefining power management through high-voltage innovation 2015年 11月 12日
技術記事 GaN to the rescue! Part 1: Body-diode reverse recovery PDF | HTML 2015年 10月 28日
アプリケーション・ノート Layout Guidelines for LMG5200 ~ 80-V, 10-A, GaN Power Stage Module (Rev. A) 2015年 9月 23日
技術記事 Control a GaN half-bridge power stage with a single PWM signal PDF | HTML 2015年 9月 10日
技術記事 Get into electromagnetic compliance with GaN PDF | HTML 2015年 8月 26日
技術記事 Are you accurately measuring the picosecond rise time of your GaN device? PDF | HTML 2015年 7月 1日
ホワイト・ペーパー A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015年 3月 2日
ホワイト・ペーパー GaN power module performance advantage in DC/DC converters 2015年 3月 2日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG5200EVM-02 — LMG5200 GaN 電力段の評価基板

80V、10A の電力段評価基板 (EVM) - LMG5200 評価基板 (EVM) は、電力段を PWM 外部信号と組み合わせるための小型で使いやすい評価基板です。この評価基板 (EVM) は、さまざまな DC/DC コンバータ・トポロジで LMG5200 電力段の性能を評価するのに最適です。この評価基板を使用して LMG5200 の性能を推定し、効率を測定することができます。この評価基板は最大 10A の電流を供給することができますが、規定温度を超過しないよう、適切な熱管理手順 (強制空冷、低周波動作など) (...)
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

LMG5200POLEVM-10 — LMG5200 GaN 48V ~ 1V ポイント・オブ・ロード評価基板

LMG5200POLEVM-10 評価基板 (EVM) は、48V を 1V に変換するアプリケーションで、LMG5200 GaN 電力段と TPS53632G ハーフブリッジ・ポイント・オブ・ロード・コントローラを評価するための設計を採用しています。この評価基板 (EVM) は、48V を 1V に変換するコンバータを、倍電流整流器と組み合わせ、単一段のハード・スイッチング・ハーフブリッジとして実装しています。この評価基板 (EVM) は、36 ~ 75V の入力電圧と、最大 50A (...)

ユーザー ガイド: PDF
ドーター・カード

BOOSTXL-3PHGANINV — シャント・ベース・インライン・モーター位相電流センシング機能を搭載した 48V 3 相インバータの評価モジュール

The BOOSTXL-3PHGANINV evaluation module features a 48-V/10-A three-phase GaN inverter with precision in-line shunt-based phase current sensing for accurate control of precision drives such as servo drives.
 

MathWorks MATLAB & Simulink example models include the following:

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

LMG5200 PSpice Transient Model (Rev. A)

SNVM711A.ZIP (52 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LMG5200 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNVM711C.ZIP (54 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

SNOM478C.TSC (58 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

LMG5200 TINA-TI Transient Spice Model

SNOM477.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

LMG5200 Unencrypted Spice Transient Model

SNOJ012.ZIP (3 KB) - Spice Model
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
PCB レイアウト

LMG5200POLEVM PCB Design File

SNOR024.ZIP (1553 KB)
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

TIDA-00909 — 高速ドライブ向け、48V/10A 高周波 PWM 3 相 GaN インバータのリファレンス・デザイン

Low voltage, high-speed drives and/or low inductance brushless motors require higher inverter switching frequencies in the range of 40 kHz to 100 kHz to minimize losses and torque ripple in the motor. The TIDA-00909 reference design achieves that by using a 3-phase inverter with three 80V/10A (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00913 — シャントベース・インライン・モーター位相電流検出機能付き、48V 3 相インバータのリファレンス・デザイン

TIDA-00913 は、サーボ・ドライブなどの高精度ドライブ制御のために、高精度インライン・シャント・ベース位相電流センシング機能を使用した 48V / 10A の 3 相 GaN インバータのリファレンス・デザインです。インライン・シャント・ベース位相電流センシングの大きな課題の 1 つが、PWM スイッチングの際に高い同相電圧過渡が発生することです。INA240 双方向電流センス・アンプはこの課題解決のため、PWM 除去性能を強化しました。このリファレンス・デザインは 0 ~ 3.3V の出力電圧を提供し、1.65V の中間電圧では ±16.5A (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-02006 — Distributed multi-axis servo drive over fast serial interface (FSI) reference design

このリファレンス・デザインは、C2000™ リアルタイム・コントローラを使用する高速シリアル・インターフェイス (FSI) 経由で通信を行う、分散型または非集中型の多軸サーボ・ドライブの例を提示します。多軸サーボ・ドライブは、ファクトリ・オートメーションやロボットのような多くのアプリケーションで使用されています。この種のシステムで、軸当たりのコスト、性能、使いやすさは常に重要な懸念事項になっています。FSI は、低ジッタを達成する、コスト最適化済みで信頼性の高い高速通信インターフェイスであり、複数の C2000 (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-02007 — Dual-axis servo drive with fast current loop (FCL) control reference design

This reference design presents a dual-axis motor drive using fast current loop (FCL) and software frequency response analyzer (SFRA) technologies on a single C2000 controller. The FCL utilizes dual core (CPU, CLA) parallel processing techniques to achieve a substantial improvement in control (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP22089 — Half-bridge point-of-load converter reference design with GaN technology

このリファレンス・デザインは、入力範囲を縮小するために、ボード内トランスの巻線比を 5:1 から 3:1 に変更します。この基板は、24 ~ 32V の入力電圧を受け入れ、0.5V ~ 1.0V の出力電圧範囲で最大 40A の出力電流を供給します。このトポロジは、高い降圧比率を効率的にサポートすると同時に、十分な出力電流と制御しやすさも実現しています。 元の EVM は、LMG5200 GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージと TPS53632G (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP4486 — 3 出力、48Vin(入力電圧)デジタル POL のリファレンス・デザイン

The PMP4486 is a GaN-based reference design solution for telecom and computing applications. The GaN module LMG5200 enables a high efficiency single stage conversion with an input range from 36 to 60V down to 29V, 12V and 1.0V. This design shows the benefits of a GaN based design with high (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP4497 — LMG5200 48V 入力 1V/40A 出力、シングル・ステージ・コンバータのリファレンス・デザイン

PMP4497 は、FPGA、ASIC アプリケーションなどの Vcore 向けの GaN ベース・リファレンス・デザイン・ソリューションです。高集積で低スイッチング損失の GaN モジュール LMG5200 を使用することで、従来の 2 ステージ・ソリューションの代わりに、48V から 1.0V までの高効率シングル・ステージ・ソリューションを使用できます。この設計では、2 ステージ・ソリューションよりも高い GaN 性能とシステム上の利点が得られます。低コストの ER18 平面 PCB (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
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QFM (MOF) 9 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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