製品詳細

Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 8 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 2000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 8 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 2000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up
    or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron)
    Characteristics Over Operating Range
    (ron = 3 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0-V to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0-V to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low Input and Output Capacitance Minimizes
    Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
    (ICC = 0.3 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0-V to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL,
    5-V, or 3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications:
    USB Interface, Differential Signal Interface, Bus
    Isolation, Low-Distortion Signal Gating
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up
    or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron)
    Characteristics Over Operating Range
    (ron = 3 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0-V to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0-V to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low Input and Output Capacitance Minimizes
    Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
    (ICC = 0.3 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0-V to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL,
    5-V, or 3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications:
    USB Interface, Differential Signal Interface, Bus
    Isolation, Low-Distortion Signal Gating

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74CB3Q3125 Quadruple FET Bus Switch 2.5-V/3.3-V Low-Voltage, High-Bandwidth Bus Switch データシート (Rev. C) PDF | HTML 2015年 6月 29日
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ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
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ユーザー・ガイド Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
アプリケーション・ノート Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3125

SCEJ199.ZIP (93 KB) - HSpice Model
シミュレーション・モデル

SN74CB3Q3125 IBIS Model (Rev. A)

SCDM067A.ZIP (25 KB) - IBIS Model
リファレンス・デザイン

TIDA-00180 — プログラム可能な出力電圧および保護付き電源、位置エンコーダ・インターフェイス用

このリファレンス・デザインが実装するユニバーサル電源は、出力電圧がプログラマブルで、革新的なスマート eFuse テクノロジーを搭載しており、産業用ドライブに搭載しているマルチスタンダードの位置エンコーダ・インターフェイスでの使用に適しています。eFuse は突入電流と過電流に対する保護に加え、ユーザー・プログラマブルな過電圧と低電圧に対する保護も実現し、産業用温度範囲全体にわたって高精度の制限を維持します。このデザインは、IEC61800-3 に従って、ESD、高速過渡バースト、サージに関する EMC 耐性要件を満たす仕様を実現しています。
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DBQ) 16 オプションの表示
TSSOP (PW) 14 オプションの表示
TVSOP (DGV) 14 オプションの表示
VQFN (RGY) 14 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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