SN74CB3Q3253

アクティブ

3.3V、4:1、2 チャネル FET バス・スイッチ

製品詳細

Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 3.5 CON (typ) (pF) 13 Supply current (typ) (µA) 700 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 4:1 Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 3.5 CON (typ) (pF) 13 Supply current (typ) (µA) 700 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • 高帯域データパス(最高500MHz)(1)
  • デバイスの電源オン時とオフ時の両方で5V許容のI/O
  • 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗(ron)特性(ron = 4Ω、標準値)
  • データI/Oポートのレール・ツー・レール・スイッチング
    • 3.3V VCCで0~5Vのスイッチング
    • 2.5V VCCで0~3.3Vのスイッチング
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
  • 低い入力/出力容量により負荷および信号歪みが最小化(Cio(OFF) = 3.5pF、標準値)
  • 高いスイッチング周波数(fOE = 20MHz、最大値)
  • データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを搭載
  • 低い消費電力(ICC = 0.6mA、標準値)
  • 2.3V~3.6Vの範囲のVCCで動作
  • データI/Oは0~5Vの信号レベルに対応(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 制御入力をTTLまたは5V/3.3V CMOS出力で駆動可能
  • Ioffにより部分的パワーダウン・モードをサポート
  • JESD 78, Class II準拠で100mA超のラッチアップ性能
  • ESD性能はJESD 22に準拠しテスト済み
    • 人体モデルで2000V (A114-B、クラス II)
    • 荷電デバイス・モデルで1000V (C101)
  • デジタルとアナログの両方のアプリケーションに対応: USBインターフェイス、差動信号インターフェイス・バス絶縁、低歪の信号ゲーティング (1)

(1)CB3Qファミリの性能特性の詳細情報については、TIのアプリケーション・レポート『CBT-C、CB3T、CB3Q信号スイッチ・ファミリ』 (SCDA008)を参照してください。

  • 高帯域データパス(最高500MHz)(1)
  • デバイスの電源オン時とオフ時の両方で5V許容のI/O
  • 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗(ron)特性(ron = 4Ω、標準値)
  • データI/Oポートのレール・ツー・レール・スイッチング
    • 3.3V VCCで0~5Vのスイッチング
    • 2.5V VCCで0~3.3Vのスイッチング
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
  • 低い入力/出力容量により負荷および信号歪みが最小化(Cio(OFF) = 3.5pF、標準値)
  • 高いスイッチング周波数(fOE = 20MHz、最大値)
  • データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを搭載
  • 低い消費電力(ICC = 0.6mA、標準値)
  • 2.3V~3.6Vの範囲のVCCで動作
  • データI/Oは0~5Vの信号レベルに対応(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 制御入力をTTLまたは5V/3.3V CMOS出力で駆動可能
  • Ioffにより部分的パワーダウン・モードをサポート
  • JESD 78, Class II準拠で100mA超のラッチアップ性能
  • ESD性能はJESD 22に準拠しテスト済み
    • 人体モデルで2000V (A114-B、クラス II)
    • 荷電デバイス・モデルで1000V (C101)
  • デジタルとアナログの両方のアプリケーションに対応: USBインターフェイス、差動信号インターフェイス・バス絶縁、低歪の信号ゲーティング (1)

(1)CB3Qファミリの性能特性の詳細情報については、TIのアプリケーション・レポート『CBT-C、CB3T、CB3Q信号スイッチ・ファミリ』 (SCDA008)を参照してください。

SN74CB3Q3253デバイスは高帯域のFETバス・スイッチで、チャージ・ポンプを使用してパス・トランジスタのゲート電圧を上昇させ、低い平坦なオン抵抗(ron)を実現します。オン抵抗が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力(I/O)ポートでのレール・ツー・レール・スイッチングをサポートします。

SN74CB3Q3253デバイスは高帯域のFETバス・スイッチで、チャージ・ポンプを使用してパス・トランジスタのゲート電圧を上昇させ、低い平坦なオン抵抗(ron)を実現します。オン抵抗が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力(I/O)ポートでのレール・ツー・レール・スイッチングをサポートします。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SN74CB3Q3253 デュアル1:4 FETマルチプレクサ/デマルチプレクサ、2.5V~3.3V低電圧高帯域バス・スイッチ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2018年 6月 28日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
アプリケーション・ノート Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021年 12月 1日
アプリケーション・ノート CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families (Rev. C) PDF | HTML 2021年 11月 19日
アプリケーション概要 Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2021年 1月 6日
セレクション・ガイド Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
アプリケーション・ノート Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
セレクション・ガイド ロジック・ガイド (Rev. AA 翻訳版) 最新英語版 (Rev.AB) 2014年 11月 6日
ユーザー・ガイド LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
その他の技術資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
ユーザー・ガイド Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
アプリケーション・ノート Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
インターフェイス・アダプタ

LEADLESS-ADAPTER1 — TI の 6、8、10、12、16、20 ピン・リードレス・パッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

The EVM-LEADLESS1 board allows for quick testing and bread boarding of TI's common leadless packages.  The board has footprints to convert TI's DRC, DTP, DQE, RBW, RGY, RSE, RSV, RSW RTE, RTJ, RUK , RUC, RUG, RUM,RUT and YZP surface mount packages to 100mil DIP headers.
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3253

SCEJ209.ZIP (96 KB) - HSpice Model
シミュレーション・モデル

SN74CB3Q3253 IBIS Model

SCDM060.ZIP (25 KB) - IBIS Model
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DBQ) 16 オプションの表示
TSSOP (PW) 16 オプションの表示
TVSOP (DGV) 16 オプションの表示
VQFN (RGY) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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