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TLV2186
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TLV2186

 

概要

TLV2186 は低消費電力、24V、レール・ツー・レール入出力のゼロ・ドリフトのオペアンプです。TLV2186 のオフセット電圧はわずか 10µV (標準値)、温度範囲全体でのオフセット電圧ドリフト係数はわずか 0.1µV/℃ (標準値) です。このデバイスは高精度計測機器、信号測定、アクティブ・フィルタ・アプリケーションに最適です。

TLV2186 は静止消費電流が小さい (90µA) ため、消費電力の制約が厳しいバッテリ駆動計測器や携帯型システムなどのアプリケーションに理想的です。

さらに、同相信号除去比が高いアーキテクチャと低いオフセット電圧により、正側レールでのハイサイド電流シャント監視も可能です。また、このデバイスは配送、取り扱い、組み立て中も堅牢に ESD 保護されます。

このデバイスは、-40℃~+125℃の温度範囲で動作が規定されています。

 

特長

  • 高精度
    • オフセット電圧ドリフト:0.1µV/℃
    • 低いオフセット電圧:10µV
  • 低い静止電流: 90µA
  • 非常に優れた動的性能
    • ゲイン帯域幅:750kHz
    • スルーレート:0.35V/µs
  • 堅牢性の高い設計
    • 入力の RFI/EMI フィルタ処理
  • レール・ツー・レール入出力
  • 電源電圧範囲:4.5V~24V

All trademarks are the property of their respective owners.

機能一覧

他の製品と比較 高精度オペアンプ (Vos<1mV) メール Excelへダウンロード
Part number オーダー・オプション Number of channels (#) Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Offset drift (Typ) (uV/C) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) CMRR (Typ) (dB) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Input bias current (Max) (pA) Output current (Typ) (mA) Features Architecture
TLV2186 ご注文 2     4.5     24     0.75     0.35     In
Out    
0.25     0.1     0.09     38     134     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8     8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)     600     20     Cost Optimized
EMI Hardened
High Cload Drive
Small Size
Zero Drift    
CMOS    
LMC6482 ご注文 2     3     15.5     1.5     1.3     In
Out    
0.75     1     0.5     37     82     Catalog     -40 to 85     PDIP | 8
SOIC | 8
VSSOP | 8    
8PDIP: 93 mm2: 9.43 x 9.81 (PDIP | 8)
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
4     30         CMOS    
OPA2187 ご注文 2     4.5     36     0.55     0.2     In to V-
Out    
0.01     0.001     0.1     20     114     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
VSSOP | 8    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
350     30     EMI Hardened
Zero Drift    
CMOS