TLVx170ファミリは、電磁気干渉(EMI)対策された36V、単一電源、低ノイズ・オペアンプであり、THD+Nが1kHzにおいて0.0002%で、2.7V (±1.35V)から36V (±18V)までの電源で動作できます。これらの特長と、低いノイズ、非常に高い電源除去率(PSRR)から、シングル・チャネルのTLV170、デュアル・チャネルのTLV2170、クワッド・チャネルのTLV4170は、マイクロボルト・レベルの信号アンプでの使用に適しています。また、TLVx170ファミリのデバイスは、オフセット、ドリフト、帯域幅も優れており、低い静止電流で動作します。
ほとんどのオペアンプは1つの電源電圧でのみ動作が規定されているのに対して、TLVx170ファミリのオペアンプは2.7V～36Vで規定されており、入力信号を位相反転なしで電源レールより下までスイングできます。さらに、TLVx170ファミリは200pFの容量性負荷によりユニティ・ゲイン安定で、1.2MHzの帯域幅と0.4V/µsのスルー・レートにより、電流/電圧コンバータとして使用できます。
デバイスの入力は、通常動作において負のレールより100mV下、および正のレールの2V以内で動作でき、性能は低下するものの完全なレール・ツー・レール入力にも対応します。TLVx170デバイスは、-40℃～+125℃での動作が規定されています。
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| Part number | オーダー・オプション | Number of channels (#) | Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | GBW (Typ) (MHz) | Slew rate (Typ) (V/us) | Rail-to-rail | Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | Iq per channel (Typ) (mA) | Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | Rating | Operating temperature range (C) | Package Group | Package size: mm2:W x L (PKG) | Offset drift (Typ) (uV/C) | Features | CMRR (Typ) (dB) | Output current (Typ) (mA) | Architecture |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLV4170 |
|
4 | 2.7 | 36 | 1.2 | 0.4 |
In to V-
Out |
2.5 | 0.125 | 22 | Catalog | -40 to 125 |
SOIC | 14
TSSOP | 14 |
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65 (SOIC | 14)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5 (TSSOP | 14) |
2 |
Cost Optimized
EMI Hardened |
110 | 17 | CMOS |
| TLV170 |
|
1 | 2.7 | 36 | 1.2 | 0.4 |
In to V-
Out |
2.5 | 0.125 | 22 | Catalog | -40 to 125 |
SOIC | 8
SOT-23 | 5 |
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
5SOT-23: 5 mm2: 1.6 x 2.9 (SOT-23 | 5) |
2 |
Cost Optimized
EMI Hardened |
110 | 17 | CMOS |
| TLV2170 |
|
2 | 2.7 | 36 | 1.2 | 0.4 |
In to V-
Out |
2.5 | 0.125 | 22 | Catalog | -40 to 125 |
SOIC | 8
VSSOP | 8 |
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8) |
2 |
Cost Optimized
EMI Hardened |
110 | 17 | CMOS |
