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TPD1E1B04

アクティブ

6.3A、8/20μs のサージへの対処、低電圧クランプ、0402 パッケージ封止、1pF、±3.6V、±30kV ESD 保護ダイオード

製品詳細

Package name DFN-1006 (X1SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 50 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 1 Clamping voltage (V) 6.3 Breakdown voltage (min) (V) 6.4
Package name DFN-1006 (X1SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 50 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 1 Clamping voltage (V) 6.3 Breakdown voltage (min) (V) 6.4
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 レベル4 ESD保護
    • 接触放電 ±30kV
    • 空気ギャップ放電 ±30kV
  • IEC 61000-4-4 EFT保護
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 サージ保護
    • 6.3A (8/20µs)
  • IO容量: 1pF (標準値)
  • DCブレークダウン電圧: 6.4V (標準値)
  • 低いリーク電流: 100nA (最大値)
  • 非常に低いESDクランプ電圧
    • ±16A TLPにおいて8.5V
    • RDYN: 0.15Ω
  • 工業用温度範囲: -40℃~+125℃
  • 業界標準の0402パッケージ

アプリケーション

  • 最終製品
    • ウェアラブル
    • ラップトップおよびデスクトップPC
    • モバイルおよびタブレット
    • セットトップ・ボックス
    • DVRおよびNVR
    • TVおよびモニタ
    • EPOS (電子販売時点情報管理)
  • インターフェイス
    • USB 2.0/1.1
    • GPIO
    • プッシュボタン
    • オーディオ

All trademarks are the property of their respective owners.

  • IEC 61000-4-2 レベル4 ESD保護
    • 接触放電 ±30kV
    • 空気ギャップ放電 ±30kV
  • IEC 61000-4-4 EFT保護
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 サージ保護
    • 6.3A (8/20µs)
  • IO容量: 1pF (標準値)
  • DCブレークダウン電圧: 6.4V (標準値)
  • 低いリーク電流: 100nA (最大値)
  • 非常に低いESDクランプ電圧
    • ±16A TLPにおいて8.5V
    • RDYN: 0.15Ω
  • 工業用温度範囲: -40℃~+125℃
  • 業界標準の0402パッケージ

アプリケーション

  • 最終製品
    • ウェアラブル
    • ラップトップおよびデスクトップPC
    • モバイルおよびタブレット
    • セットトップ・ボックス
    • DVRおよびNVR
    • TVおよびモニタ
    • EPOS (電子販売時点情報管理)
  • インターフェイス
    • USB 2.0/1.1
    • GPIO
    • プッシュボタン
    • オーディオ

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TPD1E1B04は双方向TVS ESD保護ダイオードで、RDYNとクランプ電圧が低いことが特長です。TPD1E1B04は、IEC 61000-4-2国際規格(レベル4)で規定されている最大レベルのESD耐性を備えています。

動的抵抗(0.15Ω)とクランプ電圧(16A TLPで8.5V)が非常に低いため、過渡事象に対するシステム・レベルの保護が保証されます。このデバイスのIO容量は1pFで、USB 2.0などのインターフェイスを保護するために理想的です。

TPD1E1B04は、業界標準の0402 (DPY)パッケージで供給されます。

TPD1E1B04は双方向TVS ESD保護ダイオードで、RDYNとクランプ電圧が低いことが特長です。TPD1E1B04は、IEC 61000-4-2国際規格(レベル4)で規定されている最大レベルのESD耐性を備えています。

動的抵抗(0.15Ω)とクランプ電圧(16A TLPで8.5V)が非常に低いため、過渡事象に対するシステム・レベルの保護が保証されます。このデバイスのIO容量は1pFで、USB 2.0などのインターフェイスを保護するために理想的です。

TPD1E1B04は、業界標準の0402 (DPY)パッケージで供給されます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPD1E1B04 低RDYN、低クランプ電圧の1チャネルESD保護ダイオード データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2016年 8月 22日
アプリケーション・ノート ESD and Surge Protection for USB Interfaces (Rev. B) PDF | HTML 2024年 1月 11日
セレクション・ガイド System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) 2022年 9月 7日
アプリケーション・ノート ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 8月 18日
技術記事 ESD Fundamentals Part 2: IEC 61000-4-2 Rating PDF | HTML 2017年 11月 28日
技術記事 The dangers of deep snap-back ESD circuit-protection diodes PDF | HTML 2016年 9月 12日

設計と開発

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SLVMBP6.ZIP (29 KB) - IBIS Model
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英語版 (Rev.A): PDF
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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
X1SON (DPY) 2 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

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