UCC21710-Q1 先進保護機能搭載の ±10A SiC / IGBT 絶縁型ゲート・ドライバ | TIJ.co.jp

UCC21710-Q1
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先進保護機能搭載の ±10A SiC / IGBT 絶縁型ゲート・ドライバ

 

Sample availability

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概要

UCC21710-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。

特長

  • シングルチャネル SiC/IGBT 絶縁ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み (認定予定)
  • 最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧 (VDD-COM):33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • アクティブ・ミラー・クランプ
  • RDY でのパワー・グッドによる UVLO
  • 伝搬遅延およびパルス/部品スキューが小さい
  • 動作温度範囲:-40℃~125℃
  • 安全性関連の認定 (予定)
    • 8000VPK VIOTM および 2121VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁

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機能一覧

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Part number オーダー・オプション Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group
UCC21710-Q1 ご注文 5700     8400     2121     1     IGBT
SiCFET    
  33     13     3     5.5     10     90     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5451-Q1 ご注文 5700     8000     1420     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5452-Q1 ご注文 5700     8000     1420     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5851-Q1 ご注文 5700     8000     2121     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5852S-Q1 ご注文 5700     8000     2121     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16