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UCC21750
DESAT (脱飽和) 機能搭載、ミラー・クランプ内蔵、IGBT/SiC FET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ
データシート
UCC21750
- 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
- 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
- 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
- ±10A の駆動強度と分割出力
- CMTI：150V/ns 以上
- 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
- 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
- フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
- NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
- 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
- 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
- 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
- 安全関連認証：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
- UL 1577 部品認定プログラム
UCC21750 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21750 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく 、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21750 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料
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| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。