UCC21750 先進保護機能搭載、高 CMTI、シングルチャネル、絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバ | TIJ.co.jp

UCC21750
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先進保護機能搭載、高 CMTI、シングルチャネル、絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバ

 

概要

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。

特長

  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス/部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃

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機能一覧

他の製品と比較 絶縁型ゲート・ドライバ メール Excelへダウンロード
Part number オーダー・オプション Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group
UCC21750 ご注文 5700     8400     2121     1     IGBT
SiCFET    
  33     13     3     5.5     10     90     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5451 ご注文 5700     8000     1420     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5452 ご注文 5700     8000     1420     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5851 ご注文 5700     8000     2121     1     IGBT         30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5852S ご注文 5700     8000     2121     1     IGBT
SiCFET    
    30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16