JAJSC56F December   2012  – March 2018 UCC27611

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      代表的なアプリケーションの図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 VDD and Undervoltage Lockout
      2. 7.3.2 Operating Supply Current
      3. 7.3.3 Input Stage
      4. 7.3.4 Enable Function
      5. 7.3.5 Output Stage
      6. 7.3.6 Low Propagation Delays
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Gate Drive Supply Voltage
        2. 8.2.2.2 Input Configuration
        3. 8.2.2.3 Output Configuration
        4. 8.2.2.4 Power Dissipation
        5. 8.2.2.5 Thermal Considerations
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • エンハンスメント・モードの窒化ガリウムFET（eGANFET）
  • シングル電源VDD電圧範囲：4V～18V
  • 駆動電圧VREFを5Vに制御
  • 駆動ピーク電流：4Aソース、6Aシンク
  • プルアップおよびプルダウン抵抗：1Ωおよび0.35Ω（高スルーレートでのdV/dt耐性を最大化）
  • 分割出力構成（各FETのターンオンおよびターンオフ時間を最適化可能）
  • 高速伝搬遅延（標準14ns）
  • 高速立ち上がり/立ち下がり時間（標準9ns/5ns）
  • TTLおよびCMOS互換入力（電源電圧から独立し、デジタルおよびアナログ・コントローラへのインターフェイスが容易）
  • デュアル入力設計によって駆動の柔軟性を向上（反転および非反転構成）
  • 入力のフローティング時は出力をLowに保持
  • VDD低電圧誤動作防止（UVLO）
  • eGANFETのフットプリントに対して最適化されたピン配置により、レイアウトが容易
  • 露出したサーマル/グランド・パッドを備えた2.00mm×2.00mmのSON-6パッケージ（寄生インダクタンスの最小化によってゲートのリンギングを低減）
  • 動作温度範囲：–40°C～140°C