UCC27710

UCC27710は620Vのハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバで、ソース0.5A、シンク1.0Aの電流能力を持ち、パワーMOSFETやIGBTを駆動するよう設計されています。

推奨VDD動作電圧は、IGBTでは10V～20V、パワーMOSFETでは10V～17Vです。

UCC27710には保護機能が組み込まれており、入力がオープンの状態、または最小入力パルス幅の仕様が満たされていない場合、出力はLOWに保持されます。インターロックおよびデッドタイム機能により、両方の出力が同時にオンになることが防止されます。さらに、このデバイスは10V～20Vの広い範囲のバイアス電源電圧を受け付け、VDDおよびHBの両方のバイアス電源についてUVLO保護を行います。

このデバイスは、TIの最先端の高耐圧デバイス・テクノロジで開発され、堅牢な駆動能力、非常に優れたノイズおよび過渡耐性が特長です。これには、入力における大きな負の電圧の許容、高いdV/dt許容、スイッチ・ノード(HS)における広い負の過渡安全動作領域(NTSOA)、インターロックが含まれます。

このデバイスは、1つのグランド基準チャネル(LO)と1つのフローティング・チャネル(HO)で構成され、ブートストラップまたは絶縁電源で動作するよう設計されています。このデバイスは、伝搬遅延が短く、両方のチャネル間で遅延マッチングが非常に優れています。UCC27710で、各チャネルはそれぞれHIおよびLI入力ピンにより制御されます。