TXB0101

アクティブ

1 ビット、双方向、電圧レベル・シフタ、自動方向検出機能および ±15 kV ESD 保護付き

製品詳細

Technology family TXB Bits (#) 1 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXB Bits (#) 1 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 1.2V~3.6V (A ポート)、 1.65V~5.5V (B ポート) (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 絶縁機能:いずれかの V CC 入力が GND レベルになると、すべての出力が高インピーダンス状態に移行
  • V CCA を基準とする OE 入力回路
  • 低消費電力、最大 I CC:5µA
  • I off により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • A ポート
      • 人体モデルで 2000V (A114-B)
      • マシン・モデルで 250V (A115-A)
      • 荷電デバイス・モデルで 1500V (C101)
    • B ポート
      • 人体モデルで 15 kV (A114-B)
      • マシン・モデルで 250V (A115-A)
      • 荷電デバイス・モデルで 1500V (C101)
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 1.2V~3.6V (A ポート)、 1.65V~5.5V (B ポート) (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 絶縁機能:いずれかの V CC 入力が GND レベルになると、すべての出力が高インピーダンス状態に移行
  • V CCA を基準とする OE 入力回路
  • 低消費電力、最大 I CC:5µA
  • I off により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • A ポート
      • 人体モデルで 2000V (A114-B)
      • マシン・モデルで 250V (A115-A)
      • 荷電デバイス・モデルで 1500V (C101)
    • B ポート
      • 人体モデルで 15 kV (A114-B)
      • マシン・モデルで 250V (A115-A)
      • 荷電デバイス・モデルで 1500V (C101)

この 1 ビット非反転トランスレータは、設定可能な 2 本の独立した電源レールを使用します。Aポートは V CCA に追従する設計で、V CCA には 1.2V~3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB に追従する設計で、V CCB には 1.65V~5.5V の電源電圧を供給できます。このため 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で、低電圧の双方向変換を自在に行うことが可能になります。V CCA が V CCB を上回ることはできません。

出力イネーブル (OE) 入力が LOW のとき、全出力が高インピーダンス状態になります。

このデバイスは、I off を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。I off 回路が出力をディセーブルにするため、電源切断時にデバイスに電流が逆流して損傷に至ることを回避できます。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ パッケージ技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。

この 1 ビット非反転トランスレータは、設定可能な 2 本の独立した電源レールを使用します。Aポートは V CCA に追従する設計で、V CCA には 1.2V~3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB に追従する設計で、V CCB には 1.65V~5.5V の電源電圧を供給できます。このため 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で、低電圧の双方向変換を自在に行うことが可能になります。V CCA が V CCB を上回ることはできません。

出力イネーブル (OE) 入力が LOW のとき、全出力が高インピーダンス状態になります。

このデバイスは、I off を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。I off 回路が出力をディセーブルにするため、電源切断時にデバイスに電流が逆流して損傷に至ることを回避できます。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ パッケージ技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。

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技術資料

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設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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5 ~ 8 ピンで DCK、DCT、DCU、DRL、DBV の各パッケージを使用する多様なデバイスをサポートできる設計のフレキシブルな評価基板です。
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TXB0101 HSPICE Model

SCEM561.ZIP (98 KB) - IBIS Model
リファレンス・デザイン

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YZP) 6 オプションの表示
SOT-23 (DBV) 6 オプションの表示
SOT-5X3 (DRL) 6 オプションの表示
SOT-SC70 (DCK) 6 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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